FDN359BN
FDN359BN参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
FDN359BN手册
FDN359BN概述
FDN359BN 产品概述
概述
FDN359BN是一款高性能N沟道MOSFET，专为各种电子应用设计，提供高效的漏极电流和优良的导通性能。该器件利用最先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET）制造，符合现代电子产品对高效、低功耗和小型化的需求。其封装类型为SuperSOT-3，适用于表面贴装，使得其在电路板上的占用空间最小化，便于自动化安装和高密度配置。
基本参数
FDN359BN的主要技术参数包括：
- FET类型：N通道
- 漏源电压（Vdss）：30V，适合低电压家电及工业应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时最大达到2.7A，保证在正常工作条件下拥有较大的驱动能力。
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V，提供了灵活的驱动电压选项。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V和2.7A的条件下最大值为46毫欧，意味着在开关操作时具有较低的能量损耗，能够提高整体电路效率。
性能优势
FDN359BN具有出色的导通特性和低导通损耗，使其在高频及大电流应用中表现卓越。其输入电容（Ciss）最大为650pF @ 15V，非常适合高频开关电源和其它快速切换应用。综合性的低栅极电荷（Qg）为7nC @ 5V，使得器件在快速开关时能够减少开关损耗，提高转换效率。
工作范围与热特性
FDN359BN的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端环境下仍然可靠工作。此外，其最大功率耗散能力为500mW，适合在高功率密度应用中使用。这意味着FDN359BN能够承受相对较高的负载，同时保持可靠性，并且降低了因过热而导致的故障风险。
应用领域
由于FDN359BN的优良性能和可靠性，这款MOSFET广泛应用于多个领域，具体包括：
- 电源管理：在开关电源、电池管理系统中，FDN359BN能够有效控制电流流动，提升电源的效率和稳定性。
- 电机驱动：适用于各种电机控制应用，提供精确的电流调节和稳定的操作性能。
- 消费电子：在各种消费类电子产品如智能手机、平板电脑中，用于电源调节和负载开关。
- 工业自动化：凭借其耐高温特性，FDN359BN可在工业自动化设备中，用于电源切换和负载控制。
封装和尺寸
FDN359BN采用SuperSOT-3封装，其体积小巧，符合现代电子产品对空间的严格要求。与传统封装相比，SuperSOT-3不仅减小了占用面积，还提高了散热特性，使其在设计紧凑的系统中表现出色。该封装符合多种国际标准，方便用户进行自动化设计和生产。
结论
FDN359BN是一款在电源管理、消费电子和工业自动化应用中表现卓越的N沟道MOSFET。其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，确保能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。作为安森美的经典产物，FDN359BN将是您设计中不可或缺的重要组件，助力高效能和高可靠性的电路解决方案。