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SI1022R-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-416-3
包装 :
编带
重量 :
0.012g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250mW 60V 330mA 1个N沟道 SC-75A
库存 :
28593(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.772按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.772
--
200+
￥0.532
--
1500+
￥0.484
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1022R-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 330mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 250mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-75A |
| 封装/外壳 | SC-75A |
SI1022R-T1-GE3手册
无数据
SI1022R-T1-GE3概述
产品概述：SI1022R-T1-GE3
一、基本信息
SI1022R-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其主要特点是具备卓越的电气性能和广泛的应用范围，特别适合于低功耗和高效率的电子电路中。该器件具有额定漏源电压（Vdss）高达60V，能够支持330mA的连续漏极电流，使其在各种要求较高的场合中表现出色。
二、关键参数
- 漏源电压：SI1022R的Vdss为60V，确保其在一定的电压环境下工作稳定，适用于各种中高压电路。
- 连续漏极电流：在25°C时，该FET的Id达到330mA，可以满足很多低功耗设备的需求。
- 导通电阻：在不同工作状态下，最大导通电阻Rds(on)为1.25Ω（在10V时、500mA的条件下），这意味着在导通状态下的功耗相对较低，高效地降低了开关损耗。
- 驱动电压：器件在4.5V和10V时实现最佳的Rds(on)特性，使其可以灵活适应不同的控制电压，提升设计的灵活性。
- 栅极阈值电压：不同Id条件下的Vgs(th)最大值为2.5V，表示该MOSFET在低电压驱动下也能较为迅速地进入导通状态。
- 功耗能力：SI1022R的功耗最大值为250mW，使得其在许多应用中具有良好的热管理能力，适合高密度安装。
三、电气特性
- 栅极电荷：Qg的最大值为0.6nC @ 4.5V，表明该器件在开关过程中所需的驱动能量较低，能够提高开关效率并延长工作寿命。
- 输入电容：在Vds条件下，Ciss的最大值为30pF（@25V），这使得SI1022R在开关速度及高频特性方面表现优秀。
- 工作温度范围：该MOSFET器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于极端环境下的应用，具有极大的适应性。
四、应用场景
SI1022R-T1-GE3广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
- 电池管理系统
- DC-DC转换器
- 开关电源
- 低功耗控制电路
- 信号开关
- 低电压电机驱动
由于其低功耗、高效率和广泛的工作温度范围，该器件特别适合于便携式设备、消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。
五、封装与安装
SI1022R-T1-GE3采用SC-75A（SOT-416-3）封装，属于表面贴装型（SMD），适用于现代电子制造工艺，能够提高自动化安装的便利性，节省空间。
六、总结
作为一款高效能、高稳定性的N沟道MOSFET，SI1022R-T1-GE3为设计工程师提供了灵活而可靠的解决方案。凭借其卓越的电气特性、宽广的应用范围及稳定的性能表现，SI1022R将在电子产品设计中发挥越来越重要的作用。无论是在前端开关控制，还是作为电源转换的关键器件，SI1022R都能满足高效能电路设计的需求，成为现代电子应用中的理想选择。