MT47H128M16RT-25E IT:C

产品概述：MT47H128M16RT-25E IT:C

基本信息

MT47H128M16RT-25E IT:C 是由镁光（Micron）公司生产的一款高性能DRAM存储器。该产品采用DDR2（双倍数据速率2）技术，具有2Gb（即256MB）存储容量，具体架构为128M x 16位，适用于高带宽需求的应用。

存储器类型与接口

此存储器属于易失性存储器类别，采用并行接口设计，适合于各种电子设备的集成需求。DDR2技术的引入使得其在数据传输速率上比传统的SDRAM有显著提高，能够处理更高的数据速率和更快的存取时间。这使得MT47H128M16RT-25E IT:C非常适合用于需要快速数据访问的嵌入式系统、计算机内存、网络设备以及消费电子产品等领域。

性能参数

在性能方面，该DRAM存储器的时钟频率为400MHz，能够提供高达800MT/s的传输速率，这是DDR技术的一个关键优势。其写周期时间为15ns，而访问时间为400ps，符合高性能计算的需求。该产品的快速响应能力在现代计算平台中尤为重要，能够有效提升系统整体性能。

电气特性

MT47H128M16RT-25E IT:C的工作电压范围为1.7V ~ 1.9V，适应低功耗操作的市场需求，这使得它在移动设备及低功耗应用中更具优势。与传统的DRAM存储器相比，DDR2技术不仅能提供更高的数据带宽，还能在功耗上保持更高的效率，为设计师在设备续航和散热方面提供了更多的设计灵活性。

温度与封装

该存储器工作温度范围广泛，从-40°C到95°C，允许它在极端环境下稳定运行，适合于工业级应用及汽车电子等需要高可靠性的场合。MT47H128M16RT-25E IT:C的封装类型为84-FBGA（9mm x 12.5mm），属于表面贴装型，在PCB板上的占用空间相对较小，便于现代电子产品进行紧凑设计。

应用领域

MT47H128M16RT-25E IT:C广泛应用于各种高性能计算领域，比如服务器、个人计算机、网络设备、通讯设备及其他需要大容量和高吞吐量的嵌入式系统。它的高效能和低功耗特性使得它非常适合用于移动设备、智能终端及工业控制系统等需要在性能与功耗之间找到平衡的应用。

总结

综上所述，MT47H128M16RT-25E IT:C凭借其先进的DDR2技术，出色的性能参数和广泛的应用潜力，成为了众多电子设备和系统设计中的理想选择。无论是对存储容量的需求、对带宽的追求，或者是对功耗的严格控制，镁光的这款产品都提供了有效的解决方案。对于寻求在高频、高效能及低功耗电子设计中的存储器选项的工程师们，MT47H128M16RT-25E IT:C都将是一个值得考虑的优质产品。