STP270N8F7
STP270N8F7参数
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 毫欧 @ 90A，10V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 193nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13600pF @ 50V |
STP270N8F7手册
STP270N8F7概述
STP270N8F7 产品概述
STP270N8F7 是来自意法半导体（STMicroelectronics）的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO-220-3 封装，具备 80V 的漏源电压（Vdss）和高达 180A 的连续漏极电流（Id）能力。此 MOSFET 设计旨在满足高功率应用对于效率、热性能与可靠性的严格要求，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种自动化设备。
主要特性
高漏源电压: STP270N8F7 具有 80V 的漏源电压（Vdss），使它能够在大多数高压应用中发挥重要作用，是多种电源管理和转换电路中的理想选择。
高电流承载能力: 在热管理良好的情况下，STP270N8F7 能够支持高达 180A 的连续漏极电流，适用于需要大电流流动的高功率应用。这种特性使得该 MOSFET 可以在高负载条件下工作，同时保持较低的导通电阻。
低导通电阻: 在 10V 栅极驱动电压下，STP270N8F7 的最大导通电阻（Rds(on)）为 2.5 毫欧，确保在工作中实现低能耗，减少在电流流通过程中的能量损失，从而提高系统的总体效率。
宽工作温度范围: STP270N8F7 具有极广的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C (TJ)，使其在严苛环境下仍能稳定工作，适用于工业级和高温应用。
栅极电荷和驱动要求: 在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷（Qg）最大值为 193nC。这种合理的栅极电荷特性使得驱动电路的设计更加简单，同时也降低了开关损耗，适合高频应用。
输入电容: 在漏源电压为 50V 时，输入电容（Ciss）达 13600pF，这意味着 MOSFET 在操作时对驱动信号的响应速度较快，有助于提升开关频率性能。
应用领域
得益于其出色的电参数和耐受能力，STP270N8F7 在以下几个领域得到了广泛应用：
- 开关电源：在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，STP270N8F7 能够有效控制电源开关，有助于提高转换效率。
- 电机驱动：在电机控制电路里，使用 STP270N8F7 可极大提高电机运行的稳定性和效率，特别是用于无刷直流电机和步进电机的驱动。
- 逆变器：用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）中，提供高效的电能转换和稳定的电力输出。
- 工控设备：在各种工业自动化设备中，该 MOSFET 提供了可靠的开关和控制能力，实现设备的精确操作与监控。
总结
STP270N8F7 是一款能在高电压、高电流和恶劣环境条件下运行的优质 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、宽工作温度范围及良好的电气性能，使其在现代电源管理和驱动应用中具有无可比拟的竞争力。在选择高效能、高可靠性的银焊应用时，STP270N8F7 将是值得信赖的选择。