FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 220 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 180nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4660pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 500W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP27N60KPBF 是一款由威世(VISHAY)公司推出的高性能N通道MOSFET场效应管,专为高压、高电流应用而设计。该器件的最大漏源电压为600V,标称连续漏极电流为27A,能够满足大多数工业及电力电子应用的需求。凭借其出色的热性能和低导通电阻,本MOSFET适合用于电源转换、开关电源、逆变器、马达驱动和其他各类功率控制系统。
IRFP27N60KPBF采用TO-247-3封装,这一类型的封装具有较好的散热性能和强固的机械结构。通孔安装(Through-Hole)设计使得电路板的布局更加灵活,便于在高功率应用中获得良好的散热效果。
由于其优良的电气特性与工作稳定性,IRFP27N60KPBF在多种应用场合均可表现出色,具体包括:
IRFP27N60KPBF MOSFET凭借卓越的电气性能、广泛的工作温度和高功率处理能力,成为了现代电力电子设计中的优选元件。其出色的可靠性和经济性,使其在各种应用场合,特别是在要求高负载和高效能的环境中表现优异。作为威世公司的一款优质产品,IRFP27N60KPBF适合各类工程师与设计人员选择,以满足日益增长的电力需求和日常工业应用挑战。