注：图像仅供参考，请参阅产品规格
FDS6670A
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
8-SOIC
包装 :
编带
重量 :
0.22g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.86按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.86
--
100+
￥3.22
--
1250+
￥2.93
--
2500+
￥2.71
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
FDS6670A参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2220pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
FDS6670A手册
无数据
FDS6670A概述
产品概述：FDS6670A N沟道MOSFET
一、概述
FDS6670A是一款强大且高效的N沟道MOSFET，专为各种高性能电源管理应用设计。该器件采用8-SOIC封装，具备良好的散热性能与紧凑的尺寸，适合表面贴装（SMD）应用。它的电气特性使其广泛适用于电源开关、马达驱动、负载开关及其他高频应用中，提供可靠的性能和高可控性。
二、主要规格
FDS6670A的关键规格包括：
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id): 13A（在25°C环境温度下）
- 最大Rds On: 8毫欧（在10V的栅源电压下，13A的工作条件下）
- 驱动电压 (Vgs): 最小4.5V，最大10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大3V（在250µA时）
- 栅极电荷 (Qg): 最大30nC（在5V下）
- 输入电容 (Ciss): 最大2220pF（在15V下）
- 功率耗散 (Pd): 最大2.5W（在25°C环境温度下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: 8-SOIC
三、特点与优势
高效率: FDS6670A的低Rds On特性使其在高电流工作时能极大地减少功率损耗，提高系统整体效率。这使得该器件在要求高效能的能源转换和电源管理应用中具备竞争优势。
广泛的驱动电压范围: 此MOSFET支持多种Vgs的操作，低至4.5V，确保了其在多样化应用中的灵活性，且可与各种控制电路兼容，尤其适合使用5V逻辑级控制的设备。
高带宽性能: FDS6670A提供的低栅极电荷特性意味着在快速开关应用中能保持较低的开关延迟，增强了系统对高频率操作的适应能力。
宽温度范围: 能够在恶劣环境下稳定工作（-55°C到150°C），这使得FDS6670A能够在汽车、工业控制及军事应用中胜任。
可靠性: 作为安森美的产品，FDS6670A在设计和制造过程中遵循严格的质量标准，确保其在多个领域的长期运行可靠性。
四、应用场景
FDS6670A的应用场景十分广泛，主要包括但不限于：
- 开关电源：用于AC-DC转换器、DC-DC变换器等电源管理系统，提升能效和可靠性。
- 马达驱动：可用于无刷直流电机驱动、伺服电机控制等。
- 负载开关：在消费电子和工业设备中控制高电流负载。
- 汽车电子：在汽车照明、动力管理和电动系统上实现高效开关控制。
五、总结
FDS6670A是一款高效能的N沟道MOSFET，通过其出色的电气性能和广泛的工作特性，成为适用于多种高频高效能应用的重要组成部分。作为安森美的优秀产品，FDS6670A以其卓越的性能和可靠性在电子元器件市场上赢得了一席之地。无论是在消费者电子、工业应用还是汽车电子中，FDS6670A都能满足不同行业对电源管理的高标准要求，助力用户实现更高的系统性能及能效。