FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0.9V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 1mA | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 26pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | VMT3 | 封装/外壳 | SOT-723 |
RYM002N05T2CL 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其设计特别适合在各种电子设备中用作开关及放大器。这款 MOSFET 的额定漏源电压最高可达 50V,最大连续漏极电流为 200mA,因其表面贴装的设计(SOT-723 封装),使得它成为现代电子电路中不可或缺的元件。凭借其高效的性能与可靠的稳定性,RYM002N05T2CL 可以广泛应用于可穿戴设备、通信设备和电源管理系统中。
RYM002N05T2CL 的优异性能使其适用于广泛的应用场景,包括但不限于以下几点:
RYM002N05T2CL 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,适合多种电源管理和信号放大应用,其高效能和小型封装无疑为现代电子产品的设计带来了更高的灵活性和性能。无论是用于消费类电子产品,还是工业设备,该器件均能满足高效能的设计需求,是电子工程师设计电路时的理想选择。通过合理运用 RYM002N05T2CL,能够有效提升电子设备的整体性能与效率。