RSR020P05TL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RSR020P05TL

商品编码: BM0000002939
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 540mW 45V 2A 1个P沟道 TSMT-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.16
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.16
--
200+
¥0.897
--
1500+
¥0.78
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RSR020P05TL参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)45V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)4.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)500pF @ 10V
功率耗散(最大值)540mW(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TSMT3
封装/外壳SC-96

RSR020P05TL手册

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RSR020P05TL概述

RSR020P05TL 产品概述

一、产品简介

RSR020P05TL 是一款高性能的 P 类型 MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产。其设计旨在满足各种功率应用的需求,特别适合用于电源开关、驱动电路以及其他需要高效控制的电子设备。该器件采用先进的半导体技术,通过优化的结构和材料,确保在高频率、高电压和高温环境下的稳定运行。

二、主要参数

  1. FET 类型:P 通道
  2. 技术:MOSFET(氧化物金属半导体场效应晶体管)
  3. 漏源电压(Vdss):45V,适合多种中高压应用。
  4. 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A,为电源模块和驱动应用提供了优秀的电流承载能力。
  5. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V(最小)和 10V(最大)可通过合适的栅极电压进行优化,提高效率。
  6. 导通电阻(Rds(on))最大值:190毫欧 @ 2A,10V,确保低损耗和高效能。
  7. 栅压阈值(Vgs(th))最大值:3V @ 1mA,表明其在相对较低的栅压下也能有效工作。
  8. 栅极电荷(Qg)最大值:4.5nC @ 4.5V,便于快速开关,适用于高频应用。
  9. Vgs(最大值):±20V,给予设计师更大的灵活性。
  10. 输入电容 (Ciss) 最大值:500pF @ 10V,确保所需输入信号的快速响应。
  11. 功率耗散(最大值):540mW(Ta),有效降低器件在工作时的发热量。
  12. 工作温度:150°C(TJ),适合高温环境下的稳定运行。
  13. 安装类型:表面贴装型,为现代电子装配提供便利性。
  14. 封装:TSMT3,采用 SC-96 封装,便于小型化设计。

三、应用场景

RSR020P05TL 适用于多种应用场景,如:

  • 电源开关:在开关电源(SMPS)中,MOSFET 用于高效转换电能,提供良好的开关性能和效率。
  • 电机驱动:可用于控制 DC 电机和步进电机,提供可靠的功率控制。
  • 自动化设备:在各种自动化设备中,作为切换元件,实现精确控制。
  • 消费电子:适合于手机、平板电脑等消费电子设备的电源管理系统。

四、优势

  • 高效率和低发热:由于其低导通电阻,RSR020P05TL 能够实现高效率的电流传输,并有效降低发热,有助于提高整体系统的可靠性和寿命。
  • 宽工作温度范围:150°C 的最大工作温度使其能够在严苛环境中持续稳定工作,适合工业级应用。
  • 小型化设计:TSMT3 表面贴装封装使得其能够进一步减小PCB(印刷电路板)面积,适应现代微型化电子设备的趋势。

五、总结

RSR020P05TL 是一款功能全面的 P 型 MOSFET,专为高压和高温环境中的高效能应用设计。凭借其优异的电性能及适用性,该产品能够满足现代电子设备对性能和稳定性的严苛要求,使其成为工程师设计电源和驱动系统的理想选择。无论是在消费电子,还是工业自动化领域,RSR020P05TL 都展现了出色的价值和潜力。