FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 45V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 190 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.5nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 500pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 540mW(Ta) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSMT3 |
封装/外壳 | SC-96 |
RSR020P05TL 是一款高性能的 P 类型 MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产。其设计旨在满足各种功率应用的需求,特别适合用于电源开关、驱动电路以及其他需要高效控制的电子设备。该器件采用先进的半导体技术,通过优化的结构和材料,确保在高频率、高电压和高温环境下的稳定运行。
RSR020P05TL 适用于多种应用场景,如:
RSR020P05TL 是一款功能全面的 P 型 MOSFET,专为高压和高温环境中的高效能应用设计。凭借其优异的电性能及适用性,该产品能够满足现代电子设备对性能和稳定性的严苛要求,使其成为工程师设计电源和驱动系统的理想选择。无论是在消费电子,还是工业自动化领域,RSR020P05TL 都展现了出色的价值和潜力。