FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.8nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 650pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
IRLML6344TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用表面贴装封装(SOT-23,Micro3型),适用于多种应用场景。这款FET具备优异的电流处理能力和低导通电阻特点,适合用于开关电源、电池管理、DC-DC转换器以及各种消费电子设备中的电源开关和信号调理。
IRLML6344TRPBF 适用于如下领域:
开关电源: 可用于DC-DC转换系统中的高效开关,具有低导通电阻可减小功耗,从而提高整体效率。
电池管理系统: 在电池充放电过程中,作为开关元件能够有效地控制电流流动,确保电池的使用寿命及安全性。
电机控制: 在低电压电机驱动器中,作为开关可实现对电机的精确控制与高效驱动。
消费电子产品: 广泛应用于各种便携式电子产品和智能设备中,如智能手机、平板电脑等,能够有效提升系统的性能和续航能力。
LED驱动电路: 能够作为LED驱动开关,提供明亮而稳定的光源输出,适用于各类照明设计和显示设备。
高效能: 采用先进的MOSFET技术,IRLML6344TRPBF 提供低Rds(on)值,确保在切换过程中功耗降低。
宽温工作范围: 工作温度范围广,适合于严苛环境下的应用,增强了产品的可靠性。
小巧封装: SOT-23封装使得其在PCB设计中非常灵活,适合空间有限的设计需求。
快速响应: 低栅极电荷特性使得其能够实现快速高效的开关响应,适合于高速开关应用。
IRLML6344TRPBF 是一款理想的选择,凭借其卓越的性能和多种应用场景,可以为设计者提供可靠性与效率的优雅平衡。在当前电子产品对能效和小型化的需求日益增长的背景下,IRLML6344TRPBF 无疑是市场中一款出色的N沟道MOSFET产品,为提升电子设备性能贡献力量。