RV2C014BCT2CL 产品实物图片
RV2C014BCT2CL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RV2C014BCT2CL

商品编码: BM0000002841
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.011g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 400mW 20V 700mA 1个P沟道 DFN1006-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.601
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.601
--
100+
¥0.415
--
500+
¥0.377
--
2000+
¥0.349
--
4000+
¥0.327
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

RV2C014BCT2CL参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)300 毫欧 @ 1.4A, 4.5V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)700mA(Ta)FET 类型P 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)100pF @ 10VVgs(最大值)±8V
工作温度150°C(TJ)漏源电压(Vdss)20V
功率耗散(最大值)400mW(Ta)不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100µA

RV2C014BCT2CL手册

RV2C014BCT2CL概述

RV2C014BCT2CL 产品概述

一、产品基本信息

RV2C014BCT2CL 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 P 型沟道 MOSFET(场效应晶体管),采用紧凑的 DFN1006-3 封装。这款 MOSFET 以其优秀的电气性能和热管理能力,适用于多种电子设备的开关和放大功能。其基本参数包括最大漏源电压(Vdss)为 20V,最大连续漏电流(Id)为 700mA,以及最大功耗为 400mW(在环境温度 Ta 下)。RV2C014BCT2CL 是现代电子设计中重要的元器件,适用于需要小尺寸和高效率的应用场合。

二、重要规格参数

  1. 安装类型: RV2C014BCT2CL 为表面贴装型,方便在自动化生产线上快速集成,缩短产品制造周期。
  2. 最大导通电阻: 在 1.4A 和 4.5V 的工作条件下,导通电阻(Rds On)最大值为 300 毫欧,保证了其在 switching 应用中提供低功耗的性能。这对于电源管理和电动机驱动等场合尤为重要。
  3. Vgs 驱动电压: 该器件支持的最大 Rds On 驱动电压为 4.5V,最小为 1.8V,体现了其低门电压操作的特性,能有效降低控制电路的电源要求。
  4. 输入电容 (Ciss): 在不同的 Vds 电压下,最大输入电容为 100pF(在 10V 时),这表明该 MOSFET 具有良好的频率响应,适合高频率开关和信号处理应用。
  5. 阈值电压 (Vgs(th)): 在 Id 为 100µA 时,最大阈值电压为 1V,这使得其在低电压工作时能够实现快速开启,适用于需要低触发电压的电路设计。

三、工作环境和应用

RV2C014BCT2CL 的工作温度范围达到 150°C,是目前高温环境下操作的理想选择。其广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 该 MOSFET 可以用于 DC-DC 转换器的开关电路,有效提升转换效率和可靠性。
  • LED 驱动: 由于其良好的导通性能及热特性,适合用于低功率LED灯的驱动电路。
  • 电动机控制: 在各种场合中,例如小型电动汽车、玩具、家用电器等,这款 MOSFET 可用作电机的驱动元件,提供稳定的电流控制。
  • 信号开关: 在数据采集和处理系统中,RV2C014BCT2CL 可作为开关元件实现对异步信号的控制。

四、设计优势

RV2C014BCT2CL 作为一款高效能的 MOSFET,其最大功耗为 400mW,这为设计者提供了一定的设计裕度。此外,DFN1006-3 封装的设计可优化PCB空间使用,适合紧凑型设计需求。随着电子设备向小型化、高效能化发展,RV2C014BCT2CL 的应用前景非常广泛。

五、总结

总之,RV2C014BCT2CL 是一款高性能、低功耗的 P 型沟道 MOSFET,适合包括电源管理、LED 驱动和电动机控制等多种应用。其先进的技术参数和优异的工作特性,使其在行业竞争中脱颖而出,对于追求高效、可靠和紧凑设计的电子应用场合,RV2C014BCT2CL 是一个理想的选择。