PSMN1R2-25YL,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
LFPAK56，Power-SO8
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 121W 25V 100A 1个N沟道 LFPAK56E-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.01按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.01
--
100+
￥11.21
--
750+
￥10.68
--
1500+
￥10.17
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述
PSMN1R2-25YL,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.15V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 1.2mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 121W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 105nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6380pF @ 12V | 功率耗散（最大值） | 121W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK |
PSMN1R2-25YL,115手册
PSMN1R2-25YL,115概述
产品概述: PSMN1R2-25YL,115
1. 产品简介
PSMN1R2-25YL,115 是一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高性能电源管理和开关应用设计。作为Nexperia（安世）公司的优质产品，该MOSFET在高频和高功率条件下具有优良的效率和可靠性。其具有低漏源导通电阻（Rds(on)）和高连续漏极电流承载能力，使其在多个工业和汽车应用中表现出色。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 25V
- 连续漏极电流（Id）: 100A @ 25°C (Tc)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.15V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.2mΩ @ 15A，10V
- 最大功率耗散: 121W @ 25°C (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 栅极电荷（Qg）: 105nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 6380pF @ 12V
- 封装类型: LFPAK56，Power-SO8
3. 应用领域
PSMN1R2-25YL,115由于其出色的导电性和耐高温性能，广泛应用于以下领域：
- 电源转换器: 在DC-DC转换器、AC-DC变换器中充当开关元件，有助于提高能效和降低损耗。
- 电动汽车: 在电动驱动系统中，作为高边或低边开关，提升整体供电效率和散热管理。
- 可再生能源: 在太阳能逆变器和风力发电机中，优化功率管理，确保稳定可靠的电力输出。
4. 性能优势
- 低导通电阻: PSMN1R2-25YL,115采用先进的半导体工艺，实现了极低的导通电阻，这将有助于减少热损耗，提高效率，特别适合高频和高电流的应用。
- 高电流承载能力: 该元件的设计确保在高达100A的连续电流下可以稳定工作，适合高功率应用。
- 宽温度工作范围: 从-55°C到150°C的工作温度范围确保其在恶劣环境下也能可靠运行，适合汽车和工业环境。
- 易于驱动: PSMN1R2-25YL,115对栅极驱动电压的宽容忍度（4.5V到10V）使其能够和多种控制电路兼容，简化了设计复杂性。
5. 封装与安装
该MOSFET采用LFPAK56封装，具有良好的热管理性能。表面贴装型设计（SMD）使得在自动化生产中更为方便，有利于提高生产效率。其小巧轻便的特点也使其在空间有限的电子设备中表现出色。
6. 总结
在现代电子设备中，对于功率器件的性能要求越来越高，PSMN1R2-25YL,115 MOSFET凭借其优良的电气特性和可靠性，成为电源管理和驱动电路设计中的理想选择。无论是在电动汽车、工业设备还是可再生能源应用中，PSMN1R2-25YL,115都能为用户提供更高的效率和更低的热损失，从而满足快速发展的电气化和自动化趋势。