SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS892ADN-T1-GE3手册
SIS892ADN-T1-GE3概述
SIS892ADN-T1-GE3 产品概述
引言
在现代电子设备中，场效应晶体管（FET）的应用越来越广泛，特别是在电源管理和信号处理领域。VISHAY 的 SIS892ADN-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，具有高电压和大电流承载能力，非常适合在要求严格的应用场景中使用。
基本参数
SIS892ADN-T1-GE3 是一种 N 通道 MOSFET，工作于最大漏源电压（Vdss）为 100V 的环境下，能够提供高达 28A 的连续漏极电流（Id），确保在高负载条件下的稳定性能。它的功率耗散能力为 3.7W（环境温度 Ta）和 52W（结温 Tc），这使得它在不同的应用条件下均能较好地处理热量，降低了过热的风险。
电气特性
该器件在 25°C 时的关键电气特性表现良好，最大 Rds(on) 达到 33 毫欧 @ 10A，10V。较低的导通电阻意味着更高的效能和更低的功耗，是高效电源转换电路的重要特性。Vgs(th) 的最大值为 3V @ 250µA，使得该 MOSFET 能够在较小的栅极电压下开启，适合多种驱动电路。
此外，SIS892ADN-T1-GE3 的栅极电荷（Qg）为 19.5nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着开关速度快，适合于高频率的开关应用。输入电容（Ciss）在 50V 下的最大值为 550pF，也使得该器件在高频率下能够迅速响应，从而提高了转换效率。
工作温度与封装
器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于高温和极端环境，增强了其在工业和汽车应用中的可靠性。采用的 PowerPAK® 1212-8 表面贴装封装，有助于降低电路板面积，并且设计易于自动化生产，适合大规模生产需求。
应用领域
SIS892ADN-T1-GE3 的特性使其非常适合在多种应用中使用，包括但不限于：
电源转换器：MOSFET 常常被应用于 DC-DC 转换器，尤其在高效率的电源管理系统中能够显著提升能效。
电机驱动：具有高电流承载能力且适合快速开关的特性，使得 SIS892ADN-T1-GE3 理想用于电机控制和驱动应用。
汽车电子产品：由于其优良的温度性能和稳定性，该 MOSFET 可用于汽车的电力系统与安全控制。
通信设备：在需要高频信号处理的设备中，低输入电容提升了信号的传输效率。
总结
VISHAY 的 SIS892ADN-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，其优异的电气参数和广泛的工作温度范围，使其成为高效电力转换和传输的理想选择。通过优化的设计和封装形式，它被广泛应用于多个行业中的关键电气组件，满足现代电子设备日益增长的需求。在未来的电子技术发展中，SIS892ADN-T1-GE3 将继续发挥重要作用，助力高效能电路解决方案的实现。