RUF025N02TL
RUF025N02TL参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TUMT3 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
RUF025N02TL手册
RUF025N02TL概述
RUF025N02TL 产品概述
概述
RUF025N02TL是由全球知名半导体制造商ROHM（罗姆）出品的一款高性能N沟道MOSFET（场效应管）。该器件专为面向低压和中等功率的应用而设计，具备优越的电气特性和高度的可靠性。RUF025N02TL在产品设计中，强调了低导通电阻和低栅极电荷，以最小化功耗并提高功率效率。这使得它在各种电子应用中具有良好的适应性，特别是在电源管理和开关应用中。
主要特性
FET类型：本器件为N通道MOSFET，采用金属氧化物技术制成，能够在低阈值电压下实现快速开关，提高处理效率。
电气性能：
- 漏源电压（Vdss）：20V，使其适用于相对较低的电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，最大额定电流为2.5A，充分满足多种负载条件。
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的门极驱动电压下，导通电阻最大为54毫欧，突显了其在低功耗操作中的优势。
阈值电压（Vgs(th)）：在1mA漏极电流下，最大阈值电压为1.3V。这意味着器件能在较低的门极电压下就开始导通，从而适用于低功率驱动。
功率耗散：RUF025N02TL的最大功率耗散能力为320mW，满足低功耗设计需求。
工作温度范围：该设备支持的工作温度可达150°C（TJ），适合高温环境下的应用。
栅极电荷（Qg）：在4.5V电压下，栅极电荷最大为5nC，表示其具有较快的开关速度，适合开关频率较高的应用。
输入电容（Ciss）：当Vds为10V时，输入电容最大值为370pF，这有助于提升频率响应性能。
封装形式：RUF025N02TL采用TUMT3（SOT-323-3）表面贴装型封装，这种封装形式不仅便于自动化生产，还能够有效节省PCB空间。
应用场景
RUF025N02TL广泛应用于多种领域，包括但不限于：
开关电源：由于其良好的开关特性，可被用于DC-DC转换器、电源管理IC中，以及需要快速开关的应用。
电池管理系统：在电池充电和放电过程中，能够有效控制电流，保护电池健康。
负载开关：可以用来控制负载的开关状态，尤其是在家电、工业设备等领域。
LED驱动电路：通过高效率驱动LED，RUF025N02TL能够提高整个LED驱动电路的能效。
汽车电子：适用于用于车辆内部的电源管理、灯光控制以及其他电子系统中，帮助提升效率和性能。
结论
RUF025N02TL凭借其出色的电气性能、广泛的应用范围和高可靠性，实现了优异的性价比。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子等领域，RUF025N02TL都是理想的选择。其在设计上的创新确保了产品的性能和稳定性，使之能够应对现代电子系统日益复杂的需求。ROHM的工程师团队通过先进的生产工艺和严格的质量控制，将RUF025N02TL定位为市场上极具竞争力的MOSFET解决方案之一。