STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4 产品概述

一、产品简介

STD2NK90ZT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有优良的电气特性和可靠性。其设计适用于各种高电压和中等电流的电子电路应用，如开关电源、逆变器和马达控制等，特别适合于需要高效率和热管理的应用环境。

二、主要参数

1. 功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 70W（Tc），使其在高功率应用中具备足够的热处理能力。
2. 漏极电流（Id）: 在标准工作条件下，连续漏极电流可达 2.1A（Tc），适合大多数中等负载的应用。
3. 漏源电压（Vdss）: 最大漏源电压为 900V，使其能够应用于高电压电路设计。
4. 门源电压: Vgs 的最大值为 ±30V，确保区域稳定性并防止过压。
5. 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 6.5Ω @ 1.05A，使其在开关时能够提供较低的功率损耗。
6. 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ) 的广泛工作温度范围适应极端环境，确保元器件在恶劣条件下依然稳定可靠。

三、电气特性

1. Vgs(th): 在 50µA 的漏电流时，栅源阈值电压 Vgs(th) 的最大值为 4.5V，意味着该 MOSFET 能够在较低的栅源电压下进入导通状态，有利于提高驱动电路的效率。
2. 输入电容 (Ciss): 25V 条件下输入电容最大值为 485pF，为快速开关提供了良好的高频性能。
3. 门电荷 (Qg): 最大门电荷为 27nC @ 10V，这一特性使得在高频开关应用中具备良好的性能，减少了驱动电路的功耗。

四、封装与安装类型

STD2NK90ZT4 采用 DPAK 封装（TO-252），此封装方式具备良好的散热性能和符合表面贴装（SMD）的设计要求，方便在现代电子产品中使用。DPAK 封装也提供了较大的可焊接表面积，确保与 PCB 的可靠连接，提高产品的整体耐用性。

五、典型应用

STD2NK90ZT4 MOSFET 的高电压承受能力和较高的功率处理能力使其非常适合以下应用：

• 开关电源：用于高效转换的电网电源。
• 逆变器：在光伏和风能等可再生能源领域的能量转换。
• 电机驱动：适用于各种伺服和步进电动机的驱动。
• 电热转换：在电炉和电加热器中进行功率控制和调节。

六、结论

STD2NK90ZT4 是一款在高电压和中等电流应用中表现优异的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及理想的功率耗散能力，成为设计师在高性能电路设计中值得信赖的选择。意法半导体的可靠品牌和先进的制造工艺也为产品的稳定性和高效能提供了保障，是各种电子应用中不可或缺的重要组件。