CSD17308Q3
CSD17308Q3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.3 毫欧 @ 10A，8V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），44A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 15V | Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.1nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
CSD17308Q3手册
CSD17308Q3概述
CSD17308Q3 产品概述
CSD17308Q3 是一款由德州仪器 (Texas Instruments) 设计和制造的高性能 N 通道 MOSFET，具有较高的效率和出色的热管理性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高电流处理的电子设备中。其优越的电气特性和可靠的工作范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。
主要参数
安装类型: CSD17308Q3 是一款表面贴装型元器件 (SMD)，其紧凑的封装设计使其适合于高密度布局的电路板中，便于自动化组装和焊接。
导通电阻: 该 MOSFET 在特定的工作条件下表现出优异的导电性。在 Id 为 10A、Vgs 为 8V 的条件下，其最大导通电阻 (Rds(on)) 仅为 10.3 毫欧。这一特性使其在高电流应用中能有效减少能量损耗，降低发热量，提升整体效率。
电流能力: CSD17308Q3 的最大连续漏极电流（Id）可达到 14A（在环境温度 25°C 时）和 44A（在结温 Tc 下）。这一高电流能力使其适用于各种要求高电流负载的应用场景。
驱动电压: 此 MOSFET 的驱动电压范围从 3V 到 8V，能够在各种不同的控制电路中灵活应用。同时，在 4.5V 下，栅极电荷 (Qg) 达到最大值 5.1 nC，进一步降低了驱动电路的功耗。
漏源电压 (Vdss): CSD17308Q3 的最大漏源电压为 30V，能够满足大多数电源管理和电机驱动应用的需求，确保在高压条件下也能稳定工作。
输入电容 (Ciss): 在 15V 的Vds 条件下，其最大输入电容为 700pF，这为高频应用提供了良好的性能，减少了开关损耗并提升了开关速度。
温度范围: CSD17308Q3 适用于宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C。这使得其在严苛工作环境下仍能保持稳定的电气性能，适合各种工业和汽车电源应用。
功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 2.7W（在环境温度 Ta 下），确保其在高负载运行期间不会由于过热而失效。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的漏电流下，栅极阈值电压最大值约为 1.8V，这意味着该 MOSFET 具有较低的开启电压，便于低压应用的驱动。
应用领域
CSD17308Q3 的特性使其非常适合以下应用：
- 电源管理系统: 用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电池管理系统中，以提升能效。
- 电机驱动: 在电机控制、电动工具和自动化设备中，提供可靠的电力传输。
- 汽车电子: 适用于电动汽车及其充电系统、车载电源分配和电池管理系统。
- 消费电子: 可用于电脑电源、智能手机和其他便携设备，满足高效能与小型化的需求。
综上所述，CSD17308Q3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和可靠性成为众多电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子中，CSD17308Q3 都显示出其巨大的应用潜力和市场价值。