STF10N95K5 产品实物图片
STF10N95K5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STF10N95K5

商品编码: BM0000002660
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 950V 8A 1个N沟道 TO-220FP-3
库存 :
6810(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
10.16
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.16
--
100+
¥8.61
--
1000+
¥8.2
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF10N95K5参数

安装类型通孔技术MOSFET(金属氧化物)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)Vgs(最大值)±30V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)22nC @ 10V
功率耗散(最大值)30W(Tc)不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)800 毫欧 @ 4A,10V
FET 类型N 通道不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630pF @ 100V
漏源电压(Vdss)950V

STF10N95K5手册

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STF10N95K5概述

产品概述:STF10N95K5 N沟道MOSFET

简介

STF10N95K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和宽广的应用范围。此器件特别适合用于高电压、高功率的开关电路和线性应用。其主要特点包括950V的漏源电压、8A的连续漏极电流以及30W的最大功率耗散,能够在严苛的工作环境中高效运行。

关键参数

  • 安装类型:通孔(Through-Hole),方便在各种PCB电路板中进行安装,适用于较大的空间和高功率应用。
  • 技术类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其高输入电阻和快速开关特性被广泛应用于电源管理和高频开关。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,确保该元器件在各种极端环境条件下能够稳定工作。
  • 栅源电压(Vgs)最大值:±30V,设计上允许较大的栅极电压,以满足高效的开关特性。
  • 驱动电压:在10V驱动下,该器件可实现最小Rds(On)特性,提高效率。
  • 连续漏极电流(Id):8A(在设定的工作温度下),支持中到高功率应用。
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大5V @ 100µA,便于快速达到导通状态。
  • 栅极电荷(Qg):最大22nC @ 10V,低栅极电荷使得开关速度更快,降低了驱动功耗。
  • 导通电阻(Rds(On)):最大800毫欧在4A、10V的条件下,保证了电流传递的高效性。
  • 输入电容(Ciss):最大630pF @ 100V,提供较好的频率响应特性。
  • 漏源电压(Vdss):950V,适合高压电路径应用。
  • 功率耗散:最大30W(在规定的温度条件下),支持高功率输出的稳定性。

应用场景

STF10N95K5广泛应用于各种功率电子设备中,如:

  • 开关电源(SMPS):提供高效的电源转换,能够在高频率下运行,支持节能设计。
  • 直流-直流转换器:在各种电力转换任务中提供电流放大和级联支持。
  • 逆变器:用于可再生能源系统,更高效地将直流电转换为交流电。
  • 电机驱动:可用于电动机控制、传动和驱动系统,提高效率和性能。

封装信息

STF10N95K5采用TO-220-3封装,该封装设计坚固,能够承受较高的热量并方便散热。TO-220封装的设计可以直接通过散热片进行良好的热管理,确保元器件在高功率条件下的安全运行。

总结

总的来说,STF10N95K5是一款具有高可靠性、高电压和高功率处理能力的N沟道MOSFET,适用于各种对性能要求严格的应用。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都能为设计者提供稳定的解决方案,以满足现代电子系统日益增长的功率和效率需求。其卓越的电气性能,使得STF10N95K5在众多市场中成为理想的选择,是广大工程师和设计师进行高效电路设计的合适伴侣。