安装类型 | 通孔 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | Vgs(最大值) | ±30V |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22nC @ 10V |
功率耗散(最大值) | 30W(Tc) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 800 毫欧 @ 4A,10V |
FET 类型 | N 通道 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 630pF @ 100V |
漏源电压(Vdss) | 950V |
STF10N95K5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和宽广的应用范围。此器件特别适合用于高电压、高功率的开关电路和线性应用。其主要特点包括950V的漏源电压、8A的连续漏极电流以及30W的最大功率耗散,能够在严苛的工作环境中高效运行。
STF10N95K5广泛应用于各种功率电子设备中,如:
STF10N95K5采用TO-220-3封装,该封装设计坚固,能够承受较高的热量并方便散热。TO-220封装的设计可以直接通过散热片进行良好的热管理,确保元器件在高功率条件下的安全运行。
总的来说,STF10N95K5是一款具有高可靠性、高电压和高功率处理能力的N沟道MOSFET,适用于各种对性能要求严格的应用。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域,该产品都能为设计者提供稳定的解决方案,以满足现代电子系统日益增长的功率和效率需求。其卓越的电气性能,使得STF10N95K5在众多市场中成为理想的选择,是广大工程师和设计师进行高效电路设计的合适伴侣。