TMBAT49FILM
TMBAT49FILM参数
| 不同 Vr、F 时电容 | 120pF @ 0V，1MHz | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA（DC） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200µA @ 80V | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 二极管类型 | 肖特基 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 420mV @ 100mA |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 125°C |
TMBAT49FILM手册
TMBAT49FILM概述
TMBAT49FILM 产品概述
一、基本信息
TMBAT49FILM是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能肖特基二极管，采用MELF封装，具备卓越的电气特性和广泛的应用场景。这款二极管的主要特点是其低正向电压（Vf）和快速恢复时间，使其成为电源管理、续航优化及高效率电路中不可或缺的元器件。
二、技术参数
电容特性： TMBAT49FILM 在0V情况下的电容为120pF，针对1MHz的交流信号表现出极好的稳定性和低负载影响，为高速开关电路的设计提供了良好的支持。
电流特性： 这款二极管在直流（DC）模式下可承受高达500mA的平均整流电流（Io），使其适用于多种负载环境，能够在广泛的应用情况下提供可靠的性能。
反向电流： 该二极管在80V的反向电压（Vr）下，反向泄漏电流为200µA，对于需要严格控制泄漏电流的电源电路，提供了额外的安全性。
速度特性： TMBAT49FILM的恢复时间小于500ns，非常适合高频开关电路，能够有效降低在开关过程中产生的热量，提高系统的工作效率。
电压特性： 本产品的最大直流反向电压（Vr）为80V，可以满足多种高压电源供电要求。此外，在100mA的正向电流下，正向电压（Vf）仅为420mV，极小的正向压降减少了功耗，并提升了能量转换效率，这对于电源级应用尤为重要。
工作温度范围： TMBAT49FILM支持的结温范围为-65°C至125°C，使其在极端环境下仍能保持稳定的工作表现，适应工业和汽车等领域的高可靠性要求。
三、封装与安装
采用DO-213AB（MELF）封装，TMBAT49FILM的表面贴装设计使其轻松适应各种电路板的布局要求，减少了对空间的占用。MELF封装提供了良好的热性能和电气性能，适合于各种应用，包括但不限于计算机、电信及消费类电子产品等。
四、应用场景
得益于其较低的正向电压和快速响应特性，TMBAT49FILM在以下应用场景中表现优秀：
- 电源管理：可广泛应用于开关电源和AC/DC适配器中，帮助提高转换效率，降低能耗。
- 续航系统：在电池供电的设备中，有效延长电池寿命，优化电流利用率。
- 电信设备：由于其快速恢复能力，适用于电信信号处理和数据设备的保护电路。
- 汽车电子：支持高温和极端环境工作，满足汽车电子设备的严苛要求，确保系统可靠运行。
五、总结
TMBAT49FILM作为一款性能优越的肖特基二极管，以其低正向电压、高恢复速度和宽工作温度范围，为电子工程师在设计和实现高效电路时提供了重要选择。意法半导体的技术保证了产品的质量和可靠性，使其在众多应用场景中依然脱颖而出。选择TMBAT49FILM，将为您的电子设计提供强有力的支持，确保系统在各种环境下的稳定性和高效性。