MT47H64M16NF-25E:M

MT47H64M16NF-25E:M 产品概述

产品介绍

MT47H64M16NF-25E:M 是一款由镁光（Micron）公司生产的高性能 DDR2 SDRAM 存储器。作为一种易失性存储器，MT47H64M16NF-25E:M 专为要求高带宽和高可靠性的应用而设计。该设备以其先进的技术和出色的性能，广泛应用于计算机、通信设备及消费电子等领域。

基础参数

• 存储器类型：该产品采用易失性存储器类型，即在断电后数据将丢失。易失性存储器在需要快速访问和高频率读写的应用场合中具有显著优势。

• 技术：MT47H64M16NF-25E:M 采用的是DDR2（双倍数据率2）SDRAM技术，提供了比传统SDRAM更高的数据传输速率和频宽，能够满足现代计算平台对快速数据处理的需求。

• 时钟频率：时钟频率为400MHz，这意味着该存储器每秒能够进行4×10^8次数据操作（读写），为支持高性能应用提供了必要的带宽。

• 工作温度：工作温度范围为0°C至85°C（TC），该范围保证了该存储器在多种环境条件下的稳定性和可靠性，适合在一般的消费电子和工业设备中使用。

• 安装类型：MT47H64M16NF-25E:M的表面贴装型（SMD）封装设计，便于与其他元器件集成，特别适合于小型化和高度集成的电路设计。

• 存储器格式：作为DRAM存储器格式，它能够高效地对数据进行存取，为需要快速数据传输的应用提供了良好的支持。

• 访问时间：该存储器的访问时间为400ps，快速响应时间使其能够在高频率的读写操作中提供优越的性能。

• 电压 - 供电：工作电压范围为1.7V至1.9V，能够在较低电压下高效工作，有助于降低整体功耗。

• 存储容量：产品存储容量为1Gb（64M x 16），可为中等规模的数据存储需求提供支持。

• 存储器接口：并联存储器接口设计，使得在多块存储器同时操作时能够实现较高的传输效率。

• 写周期时间 - 字，页：写周期时间为15ns，能够支持快速的数据写入操作。

封装与外形

MT47H64M16NF-25E:M 采用84-FBGA（8x12.5）封装，这种小型化的封装设计为电路板节省空间，提供了更好的布局灵活性，同时也提高了它的热管理性能。这一封装标识有助于工程师在设计电路时正确选择和定位元器件。

应用领域

MT47H64M16NF-25E:M 广泛应用于各类电子设备，包括：

1. 计算机系统：如台式计算机、笔记本电脑和服务器，提供缓存和主内存的支持。
2. 通信设备：在通讯基站、路由器等设备中，用于缓存数据和快速传输。
3. 消费电子：如智能电视、手机等需要高带宽和低功耗的电子产品。

总结

作为一款高性能的 DDR2 SDRAM 存储器，MT47H64M16NF-25E:M 以其出色的性能指标和灵活的应用范围，为现代电子产品提供了可靠的存储解决方案。无论是在设计新型设备还是升级现有系统，该产品都能够满足需求，帮助实现更高效和高效能的数据处理。面对未来不断提升的数据处理需求，MT47H64M16NF-25E:M 将继续发挥关键作用。