25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 18 毫欧 @ 27.5A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300pF @ 25V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
FET 类型 | N 通道 | 安装类型 | 通孔 |
Vgs(最大值) | ±20V |
STP55NF06 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能 N 型场效应管(MOSFET),其具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该元器件在功率电子设计中扮演着重要角色,适合用于各种功率管理应用,如开关电源、马达驱动、功率转换器及其他需要高效率和高可靠性的电力控制要求的电路。
电流和电压处理能力:
导通电阻和功率耗散:
栅极驱动特性:
温度和电容特性:
封装和安装:
STP55NF06 适合广泛的应用领域,例如:
STP55NF06 是一款性能优良、稳定的 N 型 MOSFET,凭借其出色的电流容量、低导通电阻和广泛的工作温度范围,成为各种功率电子应用中的理想选择。无论是在开关电源还是马达驱动等领域,其高效的电气性能都能提供可靠的支持,帮助设计者实现高品质的电力控制方案。整体而言,STP55NF06 以其卓越的特性和意法半导体的品牌质量保证,成为工程师和设计师在设计高效能电力电子设备时的重要助手。