晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC115EUAT106 是一款高性能的 NPN 型三极管,由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)生产。这款三极管采用表面贴装的 UMT3 封装,适合各种紧凑型和高密度的电子电路应用。凭借其优异的电气特性和小巧的尺寸,DTC115EUAT106 在现代电子设备中得到了广泛应用。
类型与结构: DTC115EUAT106 是一款 NPN 型晶体管,具有预偏压特性。这种结构使得它在开关和放大电路中具备高效能,适用于多种类型的信号处理。
电流和电压参数:
增益特性: DTC115EUAT106 的直流电流增益(hFE)在不同工作条件下表现优异。在 5mA 集电极电流和 5V 的工作环境下,最小增益值为 82,这意味着其能够有效地放大输入信号。
饱和压降与截止电流:
频率响应: 该器件具有高达 250MHz 的跃迁频率,使其能够支持高速开关信号,适用于高频通信和高速数据处理的场景。
功率处理能力: 最大功耗为 200mW,适合在小功率应用中使用,且能够有效地散热,确保长期稳定运行。
包装和安装类型: DTC115EUAT106 的表面贴装型设计使其适合现代自动化生产工艺,而且小巧的 SC-70/SOT-323 封装有助于产品轻量化和体积优化,适合移动设备和紧凑型电路板。
DTC115EUAT106 三极管广泛应用于多种电子设备的不同领域,包括但不限于:
DTC115EUAT106 是一款兼具高效能和小型化设计的 NPN 型三极管,适合低功耗和高频应用。凭借其优异的电气性能、强大的增益特性以及可靠的出色耐压能力,它在各种电子设计中均能发挥重要作用。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制方面,DTC115EUAT106 都是设计师们值得信赖的选择,为现代电子产品的性能与功能提升提供了强有力的支持。