DMP210DUFB4-7B
DMP210DUFB4-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 100mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 175pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP210DUFB4-7B手册
DMP210DUFB4-7B概述
产品概述：DMP210DUFB4-7B
DMP210DUFB4-7B是由DIODES（美台）公司推出的一款高性能P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），封装形式为X2-DFN1006-3。这款MOSFET设计用于低电压、高效率的开关和放大应用，具有优异的开关特性和低导通损耗，适合于各种电子产品和电源管理系统。
基本参数
漏源电压（Vdss）： DMP210DUFB4-7B的漏源电压可达20V，这使得其在低电压应用中表现良好，能够有效满足多种电源电压需求。
连续漏极电流（Id）： 在25°C环境温度下，该器件的最大连续漏极电流可达200mA。这一特点使其非常适合移动设备，数据采集装置及其他需要控制小电流的产品。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 阈值电压为1V @ 250μA，意味着在较低的栅电压下，MOSFET就能够被有效驱动，从而降低系统功耗和提高效率。
导通电阻（Rds(on)）： 对于不同的漏极电流和栅源电压，该器件的漏源导通电阻在4.5V下的最大值为5Ω @ 100mA。较小的导通电阻确保在开启状态下的低能耗，有助于实现高效率的电源管理。
功率耗散与工作温度： DMP210DUFB4-7B的最大功率耗散为350mW，而其工作温度范围为-55°C到150°C，使其适用于严苛环境条件下的应用。
应用场景
DMP210DUFB4-7B的设计考虑到了现代电子产品对高效能和低功耗的需求，其广泛应用于：
- 电源管理: 适用于DC-DC变换器、线性稳压器和开关电源等电源管理电路。
- 消费电子: 包括智能手机、平板电脑等便携设备的电源开关管理。
- 汽车电子: 能够在高温环境下稳定工作，适合用于汽车中的各种低功耗控制电路。
- 工业控制: 在自动化设备和传感器中，作为有效的开关管使用，控制小功率负载。
优势与特点
高效能: DMP210DUFB4-7B具有较低的导通电阻和高效的功率管理，使其能够在较高的工作温度条件下运行，而功耗极低。
紧凑型封装: 采用X2-DFN1006-3封装，具有较小的体积，便于在空间受限的板级设计中使用。
易于驱动: 低阈值电压及较小的栅源电压使得DMP210DUFB4-7B容易与微控制器等低电平驱动的器件直接交互，简化了设计难度。
强大的工作温度范围: 能够在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，使得该器件适用于要求高温稳定性的工业及汽车应用。
总结
DMP210DUFB4-7B是DIODES公司为满足现代电子产品对功能多样化和高效能要求而推出的P沟道MOSFET。凭借其优异的电气性能、可靠的热管理以及紧凑的封装设计，DMP210DUFB4-7B成为了多种应用场景的理想选择。从消费电子到工业控制，这款MOSFET都能为设计师提供极大的灵活性和高效的工作表现，是当今电子设计中不可或缺的组件之一。