BSH108,215
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-236AB
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 830mW 30V 1.9A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.81按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.81
--
200+
￥0.558
--
1500+
￥0.507
--
3000+
￥0.475
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSH108,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.9A(Tsp) |
| 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 1A,10V | 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 830mW(Tsp) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 830mW（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSH108,215手册
BSH108,215概述
BSH108,215 产品概述
概述
BSH108,215 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为在各种电子应用中提供卓越的开关性能和驱动能力而设计。其基于先進的半导体技术，具备出色的电气特性，广泛适用于电源开关、负载驱动、信号放大等多种应用场景。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 最大连续漏极电流 (Id): 1.9A (在25°C 的环境温度下)
- 漏源导通电阻 (Rds On): 120mΩ @ 1A, 10V
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 1mA
- 驱动电压: 适应于 5V 和 10V 驱动
- 最大功率耗散: 830mW (在25°C 环境温度下)
- 工作温度范围: -65°C 至 150°C (结温 TJ)
封装与安装
BSH108,215 采用 TO-236AB （SOT-23）封装，非常适合表面贴装技术（SMT），方便在现代电子设备的小型化和高集成度趋势中使用。这种封装具有良好的热性能与电气性能，适合高频和高效应用。
关键特性
高开关速度: BSH108,215 的栅极电荷 (Qg) 达到最大值 10nC，这保证了其在高速开关应用中的表现，同时减小了开关损耗，提升了能效。
低导通损耗: 低的漏源导通电阻 (Rds On) 使得在工作状态下的功率损耗极小，有利于提高系统整体的能效。
耐高温性能: 该器件的工作温度范围广（-65°C 到 150°C），使其能够在极端环境条件下可靠工作，适用于汽车电子、工业控制等高温要求的场合。
良好的电气绝缘性: 最大栅源电压（Vgs）可达到 ±20V，为电路设计提供了更大的灵活性，能够有效地防止潜在的电气过载情况。
应用场景
BSH108,215 广泛应用于如下领域：
- 开关电源: 其卓越的开关性能让其成为 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等电源电路的理想选择。
- 电机驱动: 在驱动小型电机和负载时，BSH108,215 的高电流能力与低导通电阻能有效降低热量和能量损失。
- 信号开关: 适用于各种信号传输与处理电路，良好的线性特性使其能够用作小信号放大器。
- 消费电子: 可广泛应用于便携设备，如手机、平板电脑、便携式音响等，因其小型化封装使得产品设计更加紧凑。
结论
综合以上分析，BSH108,215 是一款功能强大、性能优越的 N 沟道 MOSFET，适用于现代电子设计中的多种应用。其低功耗、高效率、宽工作温度范围和出色的散热能力，使其在严苛的工作环境中也能稳定运行。正因如此，BSH108,215 在电子产品的设计和实施中展现了极大的潜力，是工程师们值得信赖的选择。