PSMN075-100MSEX
PSMN075-100MSEX参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tj) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 71mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 65W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tj） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 71 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 773pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 | 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
PSMN075-100MSEX手册
PSMN075-100MSEX概述
PSMN075-100MSEX 产品概述
PSMN075-100MSEX 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为高功率应用设计，具备出色的电气特性和可靠性。该器件隶属于 Nexperia（安世）产品系列，旨在为电子设计师提供高效的功率转换解决方案。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 18A（在 25°C 条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 71mΩ @ 5A，10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 65W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ)
封装与安装
PSMN075-100MSEX 采用 LFPAK33 表面贴装封装，具体封装形式为 SOT-1210，带有 8 个引脚。这种封装设计不仅有效减小了板空间占用，还提高了热管理能力，确保在高功率应用中的稳定性。
性能特点
优越的导通性能: 该器件在 10V 驱动电压下，漏源导通电阻仅为 71mΩ，支持高效率的功率传输。这使得 MOSFET 在开关损耗和导通损耗方面表现出色，适合用于需要高效能量传递的应用，如 DC-DC 转换器和电源管理系统。
高耐压特性: 具有 100V 的漏源电压，PSMN075-100MSEX 非常适合用于多种电源应用，包括汽车、电信及工业设备的电源转换模块，确保在高压环境中安全运行。
适应性强的工作温度: MOSFET 的工作温度范围广泛（-55°C 至 175°C），使其能够在严酷的环境下稳定工作，这对于军事、航空航天及高温工业应用尤为重要。
低栅极电荷: Qg（栅极电荷）高达 16.4nC（在 10V 驱动条件下），这意味着在开关操作时可有效减少驱动电路的功耗，提升开关速度。
高功率耗散能力: 最大功率耗散为 65W，使得该器件能够在连续高负载条件下工作而无需过多考虑散热问题，增强了系统的整体可靠性。
####应用场景
PSMN075-100MSEX 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关元件，帮助实现高效的电源转换。
- 电动汽车: 在车载充电器和电机驱动器中发挥重要作用。
- 工业自动化: 适用于驱动负载和电源切换应用，提高工业设备的性能和稳定性。
- 电信设备: 在各种电信基础设施中提供稳定可靠的电源解决方案。
结论
PSMN075-100MSEX 是一款设计精良的 N 沟道 MOSFET，凭借卓越的性能和广泛的应用适用性，成为设计工程师在高功率电源管理方案中的理想选择。Nexperia（安世）的这一产品，无论在电气特性、热稳定性还是多种应用的适应性方面都表现优异，为客户提供了可靠的设计方案。选择 PSMN075-100MSEX，意味着选择了一款可以在各种复杂条件下运作的高效电源开关元件。