RUF015N02TL
RUF015N02TL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.5nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
RUF015N02TL手册
RUF015N02TL概述
RUF015N02TL 产品概述
一、产品简介
RUF015N02TL是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商ROHM（罗姆）生产。该元器件采用表面贴装封装（TUMT-3），其主要特点包括最大漏极电压为20V，连续漏极电流为1.5A，最高功率耗散能达800mW，满足多种应用场景的需求，是现代电子设备中不可或缺的组成部分。
二、基本参数
安装类型：该产品采用表面贴装型（SMD）设计，便于现代电子电路的自动化生产和装配，提高了生产效率与减少了空间需求。
导通电阻：在1.5A和4.5V的工作条件下，最大导通电阻为180毫欧，能够有效减少在开关工作过程中产生的功率损耗，提升电路的能效。
栅极驱动电压：该MOSFET的最小开启电压（Vgs(th)）为1V，建议的驱动电压在1.8V至4.5V之间，可适应较宽的驱动条件，确保能够快速驱动MOSFET开关。
连续漏极电流：其设计允许在25°C的环境温度下提供1.5A的连续漏极电流，使其在负载要求较高的情况下依然能够稳定工作。
工作温度范围：RUF015N02TL的工作温度范围可达150°C（TJ），适合高温环境下的应用，为工业、汽车电子等领域提供可靠的选择。
输入电容与栅极电荷：在10V的Vds条件下，其最大输入电容（Ciss）为110pF，而在4.5V的Vgs条件下，栅极电荷（Qg）最大值为2.5nC，低输入电容与栅极电荷可以提高开关速度，降低驱动功耗，适合高频应用。
三、应用领域
RUF015N02TL凭借其优越的电气性能，可以被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：其低导通电阻和良好的散热性能，使得该MOSFET适合用于开关电源（SMPS）中，以降低整体系统的能量损耗。
电机驱动：在电机驱动系统中， RUF015N02TL能够作为高效的开关元件，实现对电机的精准控制和高效驱动。
LED驱动：其高频响应特性和高效能，使其在LED驱动电路中有着广阔的应用前景，能够有效提高LED的驱动效率和亮度控制精度。
消费电子：在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，RUF015N02TL提供了理想的解决方案，保证了设备的高效能和稳定性。
四、总结
ROHM的RUF015N02TL MOSFET是一款具有出色电气特性与多重应用优势的电子元器件。它高达1.5A的连续漏极电流、180毫欧的最大导通电阻、调节灵活的栅极驱动电压以及高达150°C的工作温度，使其在各类电子应用中表现优异。无论是在开关电源、电机驱动，还是在LED驱动和消费电子产品中，RUF015N02TL都能满足现代电子设计对于高效率和高可靠性的需求，值得广泛应用于各类电子产品设计中。