RQ5H020SPTL
RQ5H020SPTL参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 45V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
RQ5H020SPTL手册
RQ5H020SPTL概述
RQ5H020SPTL 产品概述
产品名称: RQ5H020SPTL
类型: P 沟道 MOSFET
制造商: ROHM（罗姆）
封装类型: TSMT3 (SC-96)
工作温度: 最高150°C
功率耗散: 最大540mW
一、引言
RQ5H020SPTL 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能电子电路而设计，广泛应用于电源转换、功率开关以及其他需要低导通损耗的场合。该器件具有较高的耐压特性及较低的导通电阻，使其在众多应用场景中展现出色的性能。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: RQ5H020SPTL 的漏源电压为 45V，适用于需要较高耐压的电路设计，能够有效满足各类电源与电机控制系统的需求。
最大漏极电流（Id）: 在25°C环境下，该器件的连续漏极电流最高可达 2A，充分满足加载要求，同时保持安全的运行状态。
导通电阻（Rds On）: 在 Vgs 为 10V、Id 为 2A 的条件下，RQ5H020SPTL 的最大导通电阻仅为190毫欧，保证了优异的导电性和低能量损耗，有助于提高整体电路效率。
栅极阈值电压: Vgs(th) 的最大值为 3V，这意味着该 MOSFET 在较低的栅极电压下也能实现导通，适用于低电压驱动的应用。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 9.5nC，当 Vgs 为 10V 时，意味着该器件在驱动上也具有较低的功耗和快速的开关特性。
输入电容（Ciss）: 在 10V 时，输入电容最大值为 500pF，这影响了开关速度和复位时间，使其适用于高频开关应用。
栅极电压（Vgs）: 栅极的最大电压为 ±20V，增加了与各种驱动电路兼容的灵活性。
三、应用场景
RQ5H020SPTL 由于其出色的电气特性，适用于如下应用场景：
- 开关电源: 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器中，作为主开关元件，提供更高的效率和稳定性。
- 电机驱动: 在电机控制电路中，RQ5H020SPTL 可做为高侧或低侧开关，确保快速的开关性能及低功耗。
- 功率管理: 用于各种功率管理模块，提升系统整体效率并减少热量产生。
- 自动化与控制系统: 在传感器和执行器的控制中，实现低延时和高效能的开关。
四、总结
RQ5H020SPTL 是 ROHM 制造的一款优秀的 P 沟道 MOSFET，其高达 45V 的漏源电压、2A 的最大漏电流、低导通电阻及小型化的 TSMT3 封装，使其在许多现代电子应用中具备很高的适应性与可靠性。无论是在开关电源、电机控制还是功率管理等领域，RQ5H020SPTL 都提供了极大的设计灵活性，是高效能电子产品设计的理想选择。选择 RQ5H020SPTL，即选择了性能和信赖的结合，帮助设计师实现更高效、更节能的产品方案。