FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 270 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 105nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3100pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 280W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
产品名称: IRFP460APBF
类型: N通道 MOSFET
封装: TO-247-3
供应商: VISHAY (威世)
IRFP460APBF 是VISHAY公司生产的一款高性能N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。作为一款专为高电压和大电流应用设计的器件,IRFP460APBF在功率电子领域中备受青睐,尤其适用于开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等应用。
漏源电压(Vdss): 500V
IRFP460APBF具备高达500V的漏源电压,这使得其能够应用于高压电路,确保了在不超出电压额定值的情况下安全运行。
连续漏极电流(Id): 20A(Tc=25°C)
该元件能够在25°C时承受20A的连续漏极电流,适合在大功率设备中工作。
导通电阻(Rds On): 最大270毫欧 @ 12A,10V
低Rds On值在较高电流下确保了较低的功耗和发热,提升了电路的效率。
栅源电压(Vgs): 最大±30V
IRFP460APBF在驱动阶段需要的栅极电压不超过±30V,这为电路设计提供了灵活性。
栅极电荷(Qg): 最大105nC @ 10V
较低的栅极电荷意味着该MOSFET可在较快的开关速度下运行,从而提高了开关频率和系统效率。
工作温度范围: -55°C至150°C
该MOSFET可在极端温度条件下工作,适合于苛刻环境条件下的应用。
功耗限制: 最大280W(Tc)
在适宜的热管理下,此MOSFET能够承受高达280W的功耗,为大功率应用提供了可靠基础。
输入电容(Ciss): 最大3100pF @ 25V
较大的输入电容允许其与高频开关电源设计兼容,可以在高效率转换中发挥作用。
IRFP460APBF因其卓越的电气性能,广泛应用于以下领域:
开关电源(SMPS): 在高效能的AC-DC转换中,MOSFET的快速开关特性能够有效提高整体效率并减少能量损耗。
直流-直流转换器: 本器件适用于Buck、Boost等多种DC-DC转换器拓扑结构,可以实现高效的电源转换。
电机驱动控制: IRFP460APBF适合于大功率电机驱动,提供优异的电流控制能力并有助于提高电机运行效率。
功率放大器: 该MOSFET可作为功率放大器中的开关元件,能够处理较高的功率输出。
在设计中使用IRFP460APBF时,应考虑其散热管理,以保持在合适的工作温度范围内。此外,确保栅极驱动电压在推荐范围内,可以有效降低开关损耗并优化性能。为提高电路的可靠性,通常建议在电路设计中加入适当的保护电路,如过压、过流和温度保护电路。
IRFP460APBF是一款功能强大且高效的N通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的适用领域,成为高压、大电流应用中的理想选择。随着电气和电子设备对性能要求的提高,该MOSFET在未来的电源管理解决方案中将发挥愈加重要的作用。