IRFP460APBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFP460APBF

商品编码: BM0000002131
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280W 500V 20A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
569(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
9.97
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.97
--
10+
¥8.31
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP460APBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)500V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)270 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)105nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3100pF @ 25V
功率耗散(最大值)280W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

IRFP460APBF手册

IRFP460APBF概述

IRFP460APBF 产品概述

产品名称: IRFP460APBF
类型: N通道 MOSFET
封装: TO-247-3
供应商: VISHAY (威世)

1. 产品背景与特点

IRFP460APBF 是VISHAY公司生产的一款高性能N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。作为一款专为高电压和大电流应用设计的器件,IRFP460APBF在功率电子领域中备受青睐,尤其适用于开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等应用。

2. 关键规格

  • 漏源电压(Vdss): 500V
    IRFP460APBF具备高达500V的漏源电压,这使得其能够应用于高压电路,确保了在不超出电压额定值的情况下安全运行。

  • 连续漏极电流(Id): 20A(Tc=25°C)
    该元件能够在25°C时承受20A的连续漏极电流,适合在大功率设备中工作。

  • 导通电阻(Rds On): 最大270毫欧 @ 12A,10V
    低Rds On值在较高电流下确保了较低的功耗和发热,提升了电路的效率。

  • 栅源电压(Vgs): 最大±30V
    IRFP460APBF在驱动阶段需要的栅极电压不超过±30V,这为电路设计提供了灵活性。

  • 栅极电荷(Qg): 最大105nC @ 10V
    较低的栅极电荷意味着该MOSFET可在较快的开关速度下运行,从而提高了开关频率和系统效率。

  • 工作温度范围: -55°C至150°C
    该MOSFET可在极端温度条件下工作,适合于苛刻环境条件下的应用。

  • 功耗限制: 最大280W(Tc)
    在适宜的热管理下,此MOSFET能够承受高达280W的功耗,为大功率应用提供了可靠基础。

  • 输入电容(Ciss): 最大3100pF @ 25V
    较大的输入电容允许其与高频开关电源设计兼容,可以在高效率转换中发挥作用。

3. 应用领域

IRFP460APBF因其卓越的电气性能,广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 在高效能的AC-DC转换中,MOSFET的快速开关特性能够有效提高整体效率并减少能量损耗。

  • 直流-直流转换器: 本器件适用于Buck、Boost等多种DC-DC转换器拓扑结构,可以实现高效的电源转换。

  • 电机驱动控制: IRFP460APBF适合于大功率电机驱动,提供优异的电流控制能力并有助于提高电机运行效率。

  • 功率放大器: 该MOSFET可作为功率放大器中的开关元件,能够处理较高的功率输出。

4. 设计考虑

在设计中使用IRFP460APBF时,应考虑其散热管理,以保持在合适的工作温度范围内。此外,确保栅极驱动电压在推荐范围内,可以有效降低开关损耗并优化性能。为提高电路的可靠性,通常建议在电路设计中加入适当的保护电路,如过压、过流和温度保护电路。

5. 结论

IRFP460APBF是一款功能强大且高效的N通道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的适用领域,成为高压、大电流应用中的理想选择。随着电气和电子设备对性能要求的提高,该MOSFET在未来的电源管理解决方案中将发挥愈加重要的作用。