SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3 产品概述

概述

SI7216DN-T1-GE3是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能双N通道场效应管（MOSFET），采用PowerPAK® 1212-8封装，适用于各种低功耗和高效率的电子应用。这款MOSFET具备优异的电气特性和工作环境适应能力，能够满足现代电子产品对能效和可靠性的严苛要求。

基础参数

SI7216DN-T1-GE3的关键电气参数包括：

• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为40V，适合于大部分低中压电源管理和电机控制应用。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境下，该MOSFET能够持续承载最高6A的漏极电流，适合需要较高电流承载的应用场合。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在5A、10V的条件下，导通电阻最大值为32毫欧，显示出极低的能量损耗特性，这对于功率转换和开关应用尤为重要。
• 门极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为3V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下便能开启。
• 栅极电荷（Qg）: 在10V的驱动下，栅极电荷最大值为19nC，表明其在开关过程中的驱动需求相对较低，有助于提高开关频率和效率。
• 输入电容（Ciss）: 在20V的条件下，输入电容最大值为670pF，确保了快速的开关响应。

温度和功率特性

该MOSFET的最大功率额定值为20.8W，使其在高功率应用中表现可靠。此外，工作温度范围为-50°C到150°C（TJ），使其适应多种极端工作环境，确保产品在恶劣条件下的稳定性和可靠性。

封装及安装

SI7216DN-T1-GE3采用PowerPAK® 1212-8双封装，这种表面贴装型设计不仅减少了PCB占用面积，还提高了散热性能。该封装形式非常适合于要求紧凑布局的现代电子设计，且易于自动化生产。

应用场景

SI7216DN-T1-GE3适合多种应用，主要包括但不限于：

• 电源管理: 由于其低导通电阻和门极阈值电压，适用于DC-DC转换器和电池管理系统。
• 电机驱动: 能够提供有效的开关控制，适用于电动机驱动和伺服控制。
• 电源适配器和充电器: 在需要高效率的电源适配器中使用，可以有效降低损耗，实现更长的电池续航。
• 高频开关: 由于低栅极电荷和输入电容，该产品适合用于高频开关应用。

结论

综上所述，SI7216DN-T1-GE3是威世公司推出的一款高效稳定的N通道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和优秀的环境适应性，成为了现代电子产品设计中的理想选择。其广泛的应用范围和可靠的性能使其适用于各种工业、消费和自动化设备，为设计人员提供了极大的便利和灵活性。