FQD13N10LTM

产品概述：FQD13N10LTM N通道 MOSFET

FQD13N10LTM 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 ON Semiconductor（安森美）制造。它在多个电子应用中广泛使用，尤其是开关电源、马达驱动和电源管理领域。本产品结合了优异的电气特性和坚固的封装设计，适应了当前对高效率和高功率密度电子设备的迫切需求。

基础参数与特点

FQD13N10LTM 的核心参数包括：

• 漏源电压（Vdss）： 该MOSFET支持高达100V的漏极-源极电压，使其适用于高电压工作条件。
• 持续漏极电流（Id）： 在25°C条件下，其连续漏极电流可达10A，意味着它可在较大的负载电流下可靠工作。
• 导通电阻（Rds(on）： 在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻为180毫欧。这一低阻抗特性显著降低了在导通状态下的功耗，提高了电源系统的整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th）： 在250µA的测试条件下，最大栅极阈值电压为2V，反映了其快速的开启特性。
• 栅极电荷（Qg）： 在5V的驱动下，栅极电荷的最大值为12nC，确保了在高频开关应用中， MOSFET的驱动效率。

除此之外，FQD13N10LTM 还具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C（TJ），使其在恶劣环境下依然稳定运行。这种极端的温度适应能力使其成为航空航天、军事和工业设备等高可靠性应用中的理想选择。

封装与安装类型

FQD13N10LTM 采用表面贴装型 D-Pak 封装（TO-252-3），这一封装形式不仅节省了空间，还提高了散热性能。D-Pak封装设计具有良好的热传导特性，能够在高功率工作条件下有效散热。这种封装的稳固性和耐久性，使得它适合于自动化生产线的高速贴装。

应用场景

由于其出色的电气特性，FQD13N10LTM 可以广泛应用于以下领域：

1. 开关电源： 在电源转换和管理电路中，该MOSFET能够有效开关，实现电压稳压与电流控制。
2. 马达驱动： 在各种直流电机和步进电机驱动应用中，提供高效的开关控制，提高电动机的运行效率。
3. 电池管理系统： 适合于电池充放电管控，确保电池组的安全性与稳定性。
4. 汽车电子： 在汽车动力系统、车载充电器及其他电气设备中，保证高电流的可靠开关。

总结

FQD13N10LTM是一款高效、高耐久性的N通道MOSFET，特点是低导通电阻和宽广的工作电压及温度范围。无论是在电源管理、驱动控制还是其他高功率应用中，它都展现出的优异性能，使其成为设计工程师在选型时的优先选择。通过其出色的电气和热管理特性，这款MOSFET不仅能够满足当前各行业对高效能电子组件的需求，也为未来更多的高性能应用提供了便利。