DTC014EMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC014EMT2L

商品编码: BM0000001969
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
607(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.463
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.463
--
500+
¥0.155
--
4000+
¥0.103
--
8000+
¥0.0735
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC014EMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VMT3

DTC014EMT2L手册

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DTC014EMT2L概述

DTC014EMT2L 产品概述

1. 产品简介

DTC014EMT2L 是一款高性能的 NPN 型数字晶体管,特别为低功耗应用而设计,能够满足现代电子设备对高效、可靠元件的需求。它采用表面贴装(SMD)封装,即 SOT-723 形式,能够便于自动化生产和安装。这款晶体管由信号处理和开关控制等多个领域的应用提供了极大的设计灵活性。

2. 主要特点

  • 类型: NPN 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic): 50 mA,适合低功耗电路。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50 V,确保器件在较高电压条件下仍能稳定工作。
  • 基极电阻 (R1): 10 kΩ,适配各种工作模式。
  • 发射极电阻 (R2): 10 kΩ,优化电路性能。
  • 最低 DC 电流增益 (hFE): 35 @ 5 mA,10 V,支持高效率信号放大。
  • 饱和压降 (Vce): 最大值 150 mV @ 500 µA,5 mA,确保在开关操作中低功耗。
  • 频率跃迁: 高达 250 MHz,适于高速开关应用。
  • 功率额定: 最大值 150 mW,具备良好的散热性能。
  • 封装/外壳: VMT3(SOT-723),便于空间受限的设计。

3. 应用场景

DTC014EMT2L 的广泛应用领域包括但不限于:

  • 消费电子: 适用于手机、平板电脑、蓝牙耳机等电子产品,满足信号放大及开关控制需求。
  • 汽车电子: 在汽车传感器、ECU 控制模块中发挥关键作用。
  • 工业控制: 在自动化设备中用于驱动和控制存在的开关元件。
  • 通讯设备: 在射频(RF)电路中可用于信号放大和开关操作,尤其是在高频应用中表现优异。

4. 电气特性

  • 静态参数: 在 10 V 的电源电压下,5 mA 的工作点下,DTC014EMT2L 显示出至少 35 的 DC 电流增益,这对于大多数应用来说,都是相当理想的性能。
  • 动态性能: 由于其高达 250 MHz 的频率跃迁能力,该器件能够轻松驾驭快速信号的传输,对高速通信和数据处理尤为重要。

5. 安装与使用

DTC014EMT2L 的表面贴装(SMD)设计简化了其安装过程。设计工程师可以轻松地将其集成进入 PCB 板中,适用于自动化生产线,通过现代贴片技术实现高效的装配。

6. 注意事项

在设计电路时,需注意器件的最大工作电压和电流,确保在额定范围内使用。此外,合理计算基极和发射极电阻的选择,可以提高电路的稳定性和降低功耗。

7. 结论

DTC014EMT2L 是一款高效、可靠的 NPN 数字晶体管,适用于多种电子应用。凭借其良好的电气特性和高频性能,该器件为现代电子产品的设计提供了强有力的支持。在不断发展的科技背景下,选择 DTC014EMT2L 作为您的电子元件,将确保产品在市场上的竞争优势与出色表现。