驱动配置 | 高端 | 通道类型 | 单路 |
驱动器数 | 1 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DGD2117S8-13 是由知名半导体供应商 DIODES(美台)推出的一款高性能栅极驱动器。其在电力电子、开关电源、逆变器及各种驱动应用中具有广泛的应用前景。该器件以其卓越的运行性能、较强的驱动能力和高工作温度范围,为设计工程师提供了灵活、高效的解决方案。
DGD2117S8-13 的驱动配置为高端,专为满足单路应用需求而设计。它的驱动器数为1,能够有效控制 N 沟道 MOSFET 和 IGBT,适用于多种不同的电路拓扑结构。该元器件支持的供电电压范围为 10V 到 20V,能够满足各种场景下的电源要求。
逻辑电平的输入电压阈值(VIL 和 VIH)分别为6V和9.5V。这提供了高兼容性,使其能够与多种逻辑电平的控制电路协同工作。在输入类型方面,DGD2117S8-13采用非反相输入方式,这意味着输入信号的变化将直接真实反映在输出信号上,简化了电路设计。
该驱动器具有强大的电流输出能力,分别提供 290mA 和 600mA 的峰值输出电流(灌入和拉出),可迅速充放电栅极电荷,提升 MOSFET 和 IGBT 的开关速度。这对于实现高频开关操作及降低开关损耗尤为重要。上升与下降时间的典型值分别为 75ns 和 35ns,这使得 DGD2117S8-13 在快速转换过程中表现出色。
高压侧电压最大值为 600V,保证了在高压环境下的安全运行。结合这项特性,DGD2117S8-13 使其在高压高功率应用中具有卓越的应用潜力,例如在工业电源和汽车源转换器中的应用。
DGD2117S8-13 的工作温度范围非常宽广,从 -40°C 到 150°C,能够适应严酷的工作环境,保证了其在各种工业领域中的可靠性。这一特性是许多高温应用(如汽车电子、可再生能源系统等)所必须的。
该器件采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为 SO-8(0.154",3.90mm 宽),这使其便于自动化贴装,节省了安装空间,提高了产品的整体体积效率。
DGD2117S8-13 的设计关注点在于高效驱动和高电压兼容性,使其具有广泛的应用前景。它非常适用于以下几个领域:
开关电源:作为 DC-DC 转换器或 AC-DC 转换器的高端驱动器,DGD2117S8-13 能有效提高变换效率,并减少开关损耗。
逆变器:在光伏逆变器和电动机驱动器中,能够高效控制功率开关,为系统提供稳定的输出。
LED 驱动:在 LED 照明及显示领域,控制高功率 LED 的开关,改善亮度调节效果。
电机控制:用于高性能电机控制器中,提高驱动效率,提升设备的工作性能。
总之,DGD2117S8-13 栅极驱动器凭借强大的电气特性、广泛的工作温度范围和高兼容性的输入逻辑,成为了现代高效电力电子设计中的理想选择。无论是在电源转换、LED 驱动还是电机控制等应用中,该产品都展示了卓越的性能和可靠性,为电力电子的未来发展提供了有力的支持。