ZXMN0545G4TA
ZXMN0545G4TA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 450V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 140mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZXMN0545G4TA手册
ZXMN0545G4TA概述
ZXMN0545G4TA 产品概述
ZXMN0545G4TA 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由美台半导体（DIODES）公司制造。该器件在各种高压应用中表现出色，其主要特点包括较高的漏源电压、适中的漏极电流及较低的导通电阻，使其成为理想的选择，适用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换模块以及其它需要电流控制的电子电路。
关键参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）：450V
- 连续漏极电流（Id）：140mA（@ 25°C）
- 驱动电压范围：
- 最大 Rds On 驱动电压：10V
- 最小 Rds On 驱动电压：10V
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动电压和 100mA 电流下，最大值为 50Ω
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 3V（@ 1mA）
- 输入电容（Ciss）：最大值为 70pF（@ 25V）
- 功率耗散：最大值为 2W（@ Ta）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型：SOT-223（表面贴装型）
应用场景
ZXMN0545G4TA 的设计适用于广泛的电子应用场景，尤其是在需要高电压和中等电流的环境中，其优异的电气性能，尤其适合用于电源转换器、开关电源和 LED 驱动电路等。此 MOSFET 的高温工作能力，使得其在工业环境或高温应用中表现突出。
电源管理：ZXMN0545G4TA 可以用作开关元件，帮助实现高效能的电源管理系统。其高达 450V 的漏源电压使其能够处理各种高电压下的电源转换。
DC-DC 转换：在 DC-DC 转换器中，ZXMN0545G4TA 被广泛应用于提升或降低电压，确保电路中的能源高效传输。
线性调节器：对于要求精确电压的应用，ZXMN0545G4TA 可以与线性稳压器结合使用，以实现更高效的电能利用。
开关控制：在家用电器、工业控制与自动化设备中，ZXMN0545G4TA 的灵活性和高电压特性使其成为理想的开关元件，可用于高压和低电流的控制。
性能优势
高效率和低功耗：ZXMN0545G4TA 的低导通电阻（Rds(on)）设计意味着在传导电流时能量损失低，提升了整体效率。
高温稳定性：具有 -55°C 到 150°C 的工作温度范围，确保了该器件在极端温度环境中的可靠性和稳定性。这对于军工、航天和汽车电子等行业尤为重要。
小型封装：采用 SOT-223 封装，使得 ZXMN0545G4TA 在空间受限的应用中得到了良好的适应性，有助于降低产品的整体尺寸和重量。
创新的设计：MOSFET 本身的设计使得其在控制信号下可以快速开关，符合快速响应的应用需求。
总结
ZXMN0545G4TA 作为一款 N 通道 MOSFET，在许多电子应用中提供了卓越的性能，凭借其高漏源电压能力、低导通电阻及较宽的工作温度范围，满足了现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。无论是在消费电子、工业自动化还是电力管理领域，ZXMN0545G4TA 都展示了其广泛的适用性与优秀的耐久性，必将为设计工程师提供灵活的解决方案。