DMNH6042SK3-13
DMNH6042SK3-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 492pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-4L |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
DMNH6042SK3-13手册
DMNH6042SK3-13概述
DMNH6042SK3-13 产品概述
DMNH6042SK3-13 是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物场效应管），由知名电子元器件供应商DIODES（美台）制造。该产品设计用于高效电力管理与开关应用，具有出色的电流承载能力和低导通电阻，能够满足现代电子设备对电源管理和信号处理的高要求。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源最大电压为60V，使其能够安全运作于多种电压环境中，适合用于电源转换、马达驱动和高压开关应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，其连续漏极电流可达到25A。这一特性使其在高负载条件下也能稳定工作，提高了系统的可靠性。
导通电阻（Rds On）: 该器件在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为50毫欧（在6A时），这意味着在高电流工作时能实现较低的功率损耗和更高的工作效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的漏电流下，最大栅极阈值电压为3V，确保能够在较低栅极驱动电压下迅速导通，适合低电压控制应用。
栅极电荷（Qg）: 在10V驱动条件下，栅极电荷最大值为8.8nC，这一项指标反映了该MOSFET的切换速度，能够对高频率开关应用提供良好的响应性能。
输入电容（Ciss）: 在25V的条件下，输入电容的最大值为492pF，为高频开关和线性放大应用提供了良好的电气特性。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散为2W（在环境温度 Ta 时），这意味着在合理的散热设计下，它能够长时间稳定工作而不出现过热。
工作温度范围: 工作温度范围广泛，从-55°C至175°C，适合用于严苛的工业和汽车应用环境。
封装和安装
DMNH6042SK3-13采用TO-252封装（DPak），这是一种表面贴装型封装，具有良好的散热性能和安装便利性。该封装设计适合于自动化贴片生产，极大地提升了生产效率，有利于大规模应用。
应用场景
DMNH6042SK3-13广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统，为设备提供高效稳定的电源解决方案。
- 马达驱动: 在电动机控制中，能有效提升系统的开关效率，延长设备寿命。
- 汽车电子: 适应汽车环境下的高温和电压波动，负责控制和动力传输。
- 工业自动化: 在工业设备中用于驱动和控制各种执行机构，支持智能自动化应用。
结论
DMNH6042SK3-13是一个卓越的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流承载能力及低导通电阻的特点，被广泛应用于电源管理、马达驱动和汽车电子等领域。其优异的性能参数和可靠性，使其成为设计工程师在开发各种高效电路时的理想选择。随着电子技术的不断进步，该产品将在未来的高科技应用中扮演越来越重要的角色。