DMT69M8LFV-7
DMT69M8LFV-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1925pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT69M8LFV-7手册
DMT69M8LFV-7概述
DMT69M8LFV-7 产品概述
产品简介
DMT69M8LFV-7 是一款由 DIODES（美台）公司推出的高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于电力电子和开关电路中。其具有较高的漏源电压和电流承载能力，适合应用于需要高效能和高可靠性的场景。该 MOSFET 采用 PowerDI3333-8 封装，具备优秀的散热性能和小型化设计，使其能够满足现代电子设备对空间和热量管理的严格要求。
基本参数
DMT69M8LFV-7 的关键参数如下：
- FET 类型：N 通道
- 技术类型：MOSFET（绝缘栅场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 下的连续漏极电流（Id）：45A
- 驱动电压：4.5V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
- 导通电阻（最大值）：在 10V 和 13.5A 下为 9.5 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值 3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：30V 下 Qg 最大值为 33.5nC
- 最大 Vgs：±16V
- 输入电容（Ciss）：最大值 1925pF @ 30V
- 功率耗散（最大值）：42W @ Tc
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 封装类型：PowerDI3333-8
性能特点
DMT69M8LFV-7 的设计旨在实现低导通电阻与高转换效率，具体体现在以下几个方面：
高电流承载能力：45A 的连续漏极电流使其适合各种高功率应用，包括变换器、马达驱动器和电源管理单元。
低导通电阻：仅为 9.5 毫欧，显著降低了在工作过程中的能量损耗，提升了系统的整体效率。
宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 150°C 的极端环境下稳定工作，适合于工业、汽车等领域的苛刻条件。
卓越的电压特性：其最大泄漏电压可达 60V，适合大多数中等电压应用，并且具备较高的栅极电压容限。
卓越的开关性能：其较小的栅极电荷（Qg）确保更快的开关速度，适合高频开关应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
应用领域
DMT69M8LFV-7 的广泛应用场景包括但不限于：
DC-DC 转换器：由于其高效能和低导通电阻，该 MOSFET 是设计高效能 DC-DC 转换器的理想选择。
电源管理：在各种电源管理系统中，如电池管理系统和电力转换模块，DMT69M8LFV-7 提供了可靠的性能。
马达驱动器：在电动机控制应用中，无论是直流电机还是无刷直流电机，该 MOSFET 都能够提供必要的电流支持，确保马达的顺畅运行。
消费电子产品：用于电视、音频设备、计算机和其它消费电子产品中，实现高效的功率开关。
封装特性
DMT69M8LFV-7 采用 PowerDI3333-8 封装，具备良好的散热性能和小型化优势，使其在 PCB 上的布局更加灵活，从而优化了整体的电路设计。该封装设计还确保了连接的稳定性，提高了组装的便捷性。
总结
DMT69M8LFV-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电性能与封装设计，适合于各类高功率和高频率的电子应用。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，DMT69M8LFV-7 都能提供强大的支持，帮助工程师和设计师实现性能与效率的最佳平衡。