注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN2058U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.018g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.13W 20V 4.6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2552(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.41按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.41
--
200+
￥0.264
--
1500+
￥0.229
--
3000+
￥0.203
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2058U-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 281pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.13W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2058U-7手册
无数据
DMN2058U-7概述
DMN2058U-7 产品概述
一、产品简介
DMN2058U-7是一款基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N通道场效应管，主要用于低电压和中等功率的开关应用。该产品由知名电子元器件供应商DIODES（美台）生产，采用SOT-23封装，适合于表面贴装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合各种电子设备中的应用。
二、主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）： 最大20V，适合低电压环境的应用。
- 连续漏极电流（Id）： 在25°C时可达到4.6A，适应多种负载情况。
- 导通电阻（Rds On）： 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为35毫欧（@6A），能够在高电流条件下保持低损耗。
- 栅源电压（Vgs）： 最大可承受±12V，确保了更大的驱动灵活性和可靠性。
- 温度范围： 工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），适用于极端环境下的应用。
- 功率耗散能力： 最大功耗为1.13W，为设备提供了较大的功率处理能力。
三、性能特征
PMOS热设计方面，DMN2058U-7以其优越的散热性能而著称。该器件在实现高电流承受能力的同时，很好地平衡了导通损耗和开关损耗，适合用于开关电源、负载开关以及电机驱动等实际应用。
此外，产品在导通电阻和栅极电荷方面的优秀表现使其在快速信号开关和高频应用中更具竞争力。其7.7nC的栅极电荷使得在高频环境下的快速切换成为可能，提高了电路的整体性能。
四、应用领域
DMN2058U-7被广泛应用于以下领域：
- 电源管理： 适用于DC/DC转换器和电源开关，提供高效的电能转换和控制。
- 电机驱动： 可在电机控制系统中担任关键开关角色，提高系统的响应速度和精度。
- 消费电子： 在手机、平板电脑和个人计算机等消费电子设备中，作为电源控制开关和负载开关。
- 汽车电子： 由于其较高的耐温性和可靠性，该MOSFET也被应用于汽车电气系统中。
五、封装与工艺
DMN2058U-7采用SOT-23封装，外形小巧，便于在有限空间内高密度布置。该封装形式的优势在于其优良的电气特性和良好的热传导性能，使得产品在热管理方面表现优异。
六、结论
总体而言，DMN2058U-7是一款性能卓越的N通道MOSFET，具备多项优秀特性，如低导通电阻、高电流承受能力以及广泛的应用范围。凭借其可靠性和高效能，该器件在现代电子设计中显示出极高的价值，适用于各种对功率、效率和空间有严格要求的应用场合。无论是在消费电子、电源管理，还是在汽车电子领域，DMN2058U-7都能满足并超越设计工程师的期望。