DTC143EMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC143EMT2L

商品编码: BM0000001731
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
4326(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.712
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.712
--
500+
¥0.237
--
4000+
¥0.158
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC143EMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VMT3

DTC143EMT2L手册

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DTC143EMT2L概述

产品概述:DTC143EMT2L 数字晶体管

一、产品简介

DTC143EMT2L 是一款高性能的 NPN 类型数字晶体管,采用 ROHM(罗姆)半导体公司生产,具有预偏压特性。其最大集电极电流为 100mA,额定的集射极击穿电压高达 50V,适合多种电子电路中的开关与放大应用。产品专为表面贴装技术(SMT)设计,封装形式为 VMT3 (SOT-723),符合现代电子器件的小型化需求。

二、主要特性

  1. 电流与电压特性

    • 最大集电极电流 (Ic):100 mA,能够满足大多数中小功率的应用需求。
    • 最大集射极击穿电压 (Vce):50 V,保证在高电压工作环境中的安全性和可靠性。
    • 最大集电极截止电流:500 nA,确保低功耗和高效的电路性能。
  2. 增益性能

    • DC 电流增益 (hFE):在规定条件下(10 mA,5 V),至少为 30,能够提供足够的放大能力,适用于降低基极电流而得到较大的集电极电流的应用场景。
  3. 饱和特性

    • 在 500 µA 基极电流与 10 mA 集电极电流时,Vce 饱和压降最大值为 300 mV,这能够有效降低功耗,提高电路的整体性能,适合高效率开关电路设计。
  4. 频率特性

    • 跃迁频率为 250 MHz,允许在高频应用中保持稳定性能,适用于高频开关和射频放大器电路。
  5. 功率处理能力

    • 最大功耗为 150 mW,确保在各类工作条件下稳定运行。
  6. 封装类型

    • 采用 SOT-723 表面贴装封装,具备紧凑设计,适于空间受限的电路板。VMT3 的封装设计有助于提升热管理和焊接性能,确保产品的可靠性。

三、应用领域

DTC143EMT2L 适用于广泛的电子设备与电路,包括但不限于:

  • 开关电路:可用于各种需要进行电流开关控制的场景,例如 LED 驱动、电机控制等。
  • 放大电路:可在音频前置放大器、信号放大器等应用中使用,以提供必要的增益。
  • 数字电路:由于其 NPN 预偏置特性,适合用于数字逻辑电路,确保信号在不同状态间的快速转换。
  • 高频应用:由于其较高的频率特性,适合在 RF 和高频开关电路中使用,确保信号的完整性。

四、设计指南与注意事项

在使用 DTC143EMT2L 进行电路设计时,以下几点需予以注意:

  • 电流限制:确保所有操作条件下的集电极电流不超过 100 mA,以防止器件的损坏。
  • 散热设计:虽然其功率处理能力为 150 mW,设计时需要考虑良好的散热解决方案,特别是在高负载条件下。
  • 电压保护:为确保 IC 的长期稳定工作,应考虑在高电压应用场景中添加适当的防护元件,以防电压尖峰对器件造成损害。
  • PCB 设计:合理布局 PCB,提供足够的焊盘面积以确保良好的热传导,减少焊接应力对封装的影响。

五、总结

DTC143EMT2L 数字晶体管凭借其高效的电气性能、优越的频率响应和便捷的表面贴装设计,成为各种电子项目中不可或缺的基础元件之一。无论是在消费电子、通讯设备还是工业控制系统中,这款产品都表现出了优异的适应性和可靠性,为设计工程师提供了一个理想的选择。