注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMT6015LFV-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W；2.2W 60V 9.5A；35A 1个N沟道 PowerDI3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.11按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.11
--
100+
￥1.63
--
1000+
￥1.36
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMT6015LFV-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1103pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.2W（Ta），30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8（UX 类） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT6015LFV-7手册
无数据
DMT6015LFV-7概述
DMT6015LFV-7 产品概述
产品简介
DMT6015LFV-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。这款器件支持高达 60V 的漏源电压，具有出色的热性能与可靠性，适用于各种电子设备和电力管理应用，尤其适合于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动电路。
关键参数
电压和电流规格：
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 60V，这使得该 MOSFET 能够在高压环境下稳定工作，非常适合电源管理和电动机驱动应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在环境温度 25°C 时为 9.5A，在控温条件下（Tc）可达 35A，显示了器件的强大电流承载能力。
导通电阻与开启电压：
- 导通电阻（Rds On）: 在 10A 和 10V 施加条件下，最大导通电阻为 16 毫欧，确保了在工作的同时能减少热量的产生，提高整体能效。
- 栅极驱动电压: 最低驱动电压为 4.5V，适用于多种驱动电路。同时，2.5V 的栅极阈值电压（Vgs(th)）使得其在低电压条件下也能顺利开启。
封装和热管理：
- 封装类型: DMT6015LFV-7 采用的 PowerDI3333-8 封装形式，不仅能够满足表面贴装的需要，还能有效提高散热性能，最大功耗可达 30W，在正常工作环境下为 2.2W。
- 工作温度范围: 器件能够在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适合于极端气候环境的应用。
电容特性：
- 输入电容（Ciss）: 在 30V 时，最大输入电容为 1103pF，显示出较好的高频性能，适合于高效的开关应用。
- 栅极电荷（Qg）: 最多为 18.9nC，在 10V 条件下测得，这一特性进一步支持其在快速开关应用中的表现。
应用场景
DMT6015LFV-7 的特性使其适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源和逆变器中提供高效的功率转换与控制。
- 直流-直流转换器: 适合于为便携式设备供电的高能效 DC-DC 转换设计。
- 电动机驱动: 可用于各种电机控制，如步进电机和直流电动机的高效驱动。
- 汽车电子: 在汽车的电控单元中发挥重要作用，提供高电流和高电压的解决方案。
竞争优势
DMT6015LFV-7 作为 DIODES 品牌的优秀产品，凭借其高性能参数、卓越的热管理能力，以及广泛的工作温度范围，形成了与市场其他产品的竞争优势。其出色的导通电阻和低栅极电荷，使其在开关频率较高的应用中表现出色，保证了系统的高效工作，降低了能耗。
总结
DMT6015LFV-7 是一款综合性能强大、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET。无论是在电源转换、信号放大还是电机控制等领域，其都是一个值得信赖的选择。其前沿的技术规格和可靠的电气性能，确保了其在现代电子设备中的应用的可靠性与效率。在寻求高效能、高电压与高电流解决方案的工程师们，DMT6015LFV-7 无疑将是一个非常理想的选择。