DMT10H010LPS-13
DMT10H010LPS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.4A（Ta），98A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3000pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta）, 139W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
DMT10H010LPS-13手册
DMT10H010LPS-13概述
DMT10H010LPS-13 产品概述
产品概述
DMT10H010LPS-13 是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计优化了电力电子应用中的效率和热管理。这款MOSFET具有高达100V的漏源电压（Vdss）和高达9.4A（在25°C环境下的连续漏极电流）。其功率耗散能力分别为1.2W（在环境温度Ta下）和139W（在芯片温度Tc下），使其在高功率应用场合中表现出色。DMT10H010LPS-13适用于各种电子设备，尤其是在开关电源、DC-DC转换器、电动机驱动和其他功率控制电路中。
主要特点
高漏源电压: DMT10H010LPS-13能够承受高达100V的漏源电压，使其在高压应用中具有广泛的适用性。
低导通电阻: 在10V的栅极电压（Vgs）下，该MOSFET的最大导通电阻（Rds On）为9.5毫欧（@ 13A），极低的导通电阻确保了在高电流状态下的能效和至关重要的热管理。
宽工作温度范围: DMT10H010LPS-13的工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），使其在极端环境条件下也能稳定工作，满足各种工业和汽车应用的需求。
快速开关特性: 该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为71nC（@ 10V），这意味着它具备出色的开关速度，能够有效提高转换效率。
优化的封装设计: DMT10H010LPS-13采用PowerDI5060-8封装，优化了热管理特性，同时减少了所需的PCB空间，适用于高密度的表面贴装设计。
高输入电容: 在50V的条件下的最大输入电容（Ciss）为3000pF，设计师可以根据具体应用要求灵活选择驱动电路，确保快速的开关切换。
应用场景
DMT10H010LPS-13在众多应用领域中表现突出，特别适用于以下场景：
开关电源: 在高效开关电源中，DMT10H010LPS-13能够有效控制输入和输出电压，减少功率损耗，增强系统的转换效率。
电动机驱动: 通过其高电流处理能力和低导通电阻，适合用于电机控制电路中，确保平稳的启动和运行。
电力转换器: 在DC-DC转换器中，DMT10H010LPS-13的高速开关特性和温度稳定性使其成为理想选择，可以提高整体能量转换率。
消费电子产品: 在智能手机、平板电脑及其他移动设备中，用于高效的电源管理和信号处理，确保产品的性能和续航能力。
总结
总体而言，DMT10H010LPS-13是一款兼具高性能和灵活应用性的N通道MOSFET。其高漏源电压、低导通电阻、宽温度范围以及快速开关能力使其在现代电力电子设计中成为一种理想选择。从开关电源到电动机驱动，从工业设备到消费电子，DMT10H010LPS-13能够帮助设计师实现高效的电力管理和更为卓越的用户体验。作为DIODES（美台）品牌的一员，DMT10H010LPS-13凭借其优良的品质和性能，在市场上赢得了用户的广泛认可。