DMP2018LFK-7
DMP2018LFK-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 113nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4748pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2523-6 |
| 封装/外壳 | 6-PowerUDFN |
DMP2018LFK-7手册
DMP2018LFK-7概述
产品概述：DMP2018LFK-7
DMP2018LFK-7是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌DIODES（美台）制造。其在各种电子应用中表现出优越的电气性能和热特性，特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理和开关控制应用。该MOSFET的额定参数使其在电流和电压方面具有良好的适应性，满足低压高功率应用的需求。
主要特性及参数
FET类型和技术：DMP2018LFK-7属于P通道MOSFET，这种特性使其在开关控制和电源管理领域非常受欢迎。
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为20V，这使其能够处理低压高频应用，同时在一定电压范围内保持良好的可靠性。
电流能力：在25°C的环境温度下，该MOSFET可提供高达9.2A的连续漏极电流（Id），为各种负载提供了强有力的支持。对于高负载应用，如电机驱动和电流转换，该特性尤为重要。
导通电阻（Rds On）：DMP2018LFK-7在不同的Id和Vgs条件下表现出了出色的导通电阻特点。在4.5V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为16毫欧（mΩ），使其在高电流应用中保持低的功耗，从而提高整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：其最大栅极阈值电压为1.2V（在200µA下），这一参数对于电路设计师决定启动电平和确保MOSFET的可靠开关至关重要。
栅极电荷（Qg）：在10V栅极驱动电压下，该元器件的栅极电荷为113nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，从而提高开关频率。这一特性使DMP2018LFK-7特别适合高频应用。
输入电容（Ciss）：其在10V下的输入电容为4748pF，较低的输入电容有助于提高驱动速度，适用于快速开关操作的应用。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为1W，使其在较高功率的应用中表现可靠。通过适当的散热设计，能够有效控制器件的工作温度，增强稳定性。
工作温度范围：DMP2018LFK-7具有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C（TJ），确保在极端环境条件下也能可靠运行，这对于航空航天、汽车和工业应用尤为关键。
封装类型：该元器件采用表面贴装（SMD）设计，封装类型为U-DFN2523-6，适用于自动化贴片生产，节省了较多的板面空间，能够满足现代高密度电路板的设计需求。
应用领域
DMP2018LFK-7广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
- 电源管理模块
- 负载开关
- 电机驱动器
- LED驱动器
- 便携式电子设备
- 家用电器
- 汽车电子
结论
综上所述，DMP2018LFK-7凭借其卓越的电气性能与设计灵活性，成为当今市场上极具竞争力的P沟道MOSFET选择之一。其优秀的参数与宽泛的应用领域，确保了其在现代电子设计中的广泛应用潜力。无论是在工业自动化、消费电子还是高要求的汽车电子领域，DMP2018LFK-7都能够为设计师提供高效、可靠的解决方案。