DMP2010UFV-7
DMP2010UFV-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 103nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3350pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP2010UFV-7手册
DMP2010UFV-7概述
DMP2010UFV-7 产品概述
DMP2010UFV-7 是一款由 DIODES（美台）公司生产的高性能 P 通道 MOSFET，专为高效电源管理和开关应用设计。其嵌入了众多创新的设计理念，将优秀的热性能与高电流容量完美结合，适用于各种电子设备和工业应用。
基本参数
DMP2010UFV-7 的主要参数如下：
- FET 类型: P 通道
- 工作电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 50A （在 25°C 环境温度下）
- 驱动电压: 最小 Rds On 为 2.5V，最大 Rds On 为 4.5V
- 导通电阻（Rds(On)）: 在 3.6A 电流和 4.5V 的栅极电压下，最大值为 9.5 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1.2V（在 250µA 的漏极电流下）
- 栅极电荷（Qg）: 在 10V 下，最大值为 103nC
- 栅极-源极电压（Vgs）: 最大值为 ±10V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 3350pF（在 10V 下）
- 功率耗散: 在环境温度 (Ta) 下最大功率可达 2W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装和安装
DMP2010UFV-7 采用 PowerDI3333-8 封装形式，属于表面贴装型设计。这种封装的优势在于有效的热管理以及空间利用率高，适合于需要紧凑设计的现代电子器件。8-PowerVDFN 封装的设计使得该器件在电路板上的配置更加灵活。
特征与优势
高效能: DMP2010UFV-7 的最大漏极电流为 50A 和最低的导通电阻，使其在大电流应用中表现尤为出色，提升了系统的整体效率。
宽工作温度范围: 该产品的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境条件下的可靠性。同时，广泛的温度范围使得该器件适用于多种严苛应用场景。
优良的电气性能: 阈值电压（Vgs(th)）最低至 1.2V，使得 DMP2010UFV-7 在低电压驱动应用中表现良好，减少了对整个电路的驱动需求。
反向电压保护: 由于其 P 通道的特性，该 MOSFET 能够安全地处理反向电压的情况，进而保护下游电路不受电压尖峰影响。
适用广泛: DMP2010UFV-7 特别适用于电源开关、直流-直流转换器和负载开关等多种应用，可广泛应用于消费电子、工业控制、医疗设备等领域。
应用场景
由于其卓越的性能，DMP2010UFV-7 可被应用于多个领域。在消费电子中，这种 MOSFET 可以用于开关电源、充电器、LED 驱动和电池管理系统。在工业控制领域，它可用于电机驱动、功率管理和自动化设备。而在医疗设备中，其高温和高电流处理能力使其非常适合用于精密仪器和设备中。
总结
DMP2010UFV-7 作为 DIODES 公司的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、热管理特性和广泛的应用适应性，成为当今市场上一个兼具效率与可靠性的优质选择。其在开关电源和其他高效电源管理领域的出色表现，使其成为设计人员和工程师的理想选择。无论是新产品开发还是现有系统的升级，DMP2010UFV-7 均能为设计带来无与伦比的价值。