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DMP2006UFG-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.3W 20V 17.5A；40A 1个P沟道 PowerDI-3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.29按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.29
--
100+
￥1.76
--
1000+
￥1.54
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2006UFG-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.5A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5404pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP2006UFG-7手册
无数据
DMP2006UFG-7概述
DMP2006UFG-7 产品概述
概述
DMP2006UFG-7 是一款由美台（DIODES）公司生产的 P 通道 MOSFET，封装形式为 PowerDI3333-8。这款场效应管专为低功耗应用设计，具有较高的电流处理能力和优异的温度稳定性，适用于各种电源管理和开关应用。
技术规格
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压 Vdss: 20V
- 温度特性:
- 25°C 时的连续漏极电流（Id）为 17.5A（环境温度 Ta）
- 最高可达 40A（绝缘体温度 Tc）
- 驱动电压:
- 最小导通电压 Rds On 为 1.5V，最大值为 4.5V
- 导通电阻（Rds On）:
- 在 15A 和 4.5V 下，导通电阻最大值为 5.2 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）:
- 在 250µA 时的阈值电压最大值为 1V
- 栅极电荷（Qg）:
- 在 10V 时的栅极电荷最大值为 140nC
- 栅源极电压（Vgs）: 最大值为 ±10V
- 输入电容（Ciss）:
- 在 10V 时，输入电容最大值为 5404pF
- 功率耗散（Pd）:
- 在环境温度 Ta 下最大功率耗散为 2.3W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型: 表面贴装型（SMD）
- 供应商器件封装: PowerDI3333-8
- 封装外壳: 8-PowerVDFN
应用领域
DMP2006UFG-7 MOSFET 适用于多种应用场景，包括：
- 电源管理：可广泛应用于 DC-DC 转换器、功率开关、负载开关等。
- 电动车辆：在电动汽车中，用于电机驱动、充电管理及电池保护等。
- 消费电子：适合用于笔记本电脑、手机及其他便携设备的电源管理。
- 工业控制：在驱动和控制系统中，提供高效的开关能力。
性能特点
DMP2006UFG-7 以其低导通电阻和高电流承载能力来提升系统的整体效率，降低热量产生，有助于延长设备的使用寿命。此外，该产品的宽工作温度范围和强的耐温性能使其在恶劣环境下仍能保持稳定工作，为制造商提供了更大的设计灵活性。
封装与安装
这款 MOSFET的 PowerDI3333-8 封装小巧、散热性能好，适合现代电子产品对空间和散热的要求。其表面贴装技术（SMD）设计，使得集成在电路板中的安装更加便捷，且能有效降低组装成本。
总结
DMP2006UFG-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，具有优异的电气性能和广泛的应用能力，非常适合用于电源管理及开关应用。通过合理的设计和选择，这款元器件不仅能在典型应用中发挥关键作用，更能为设计师提供解决方案，满足市场对高效能、低功耗产品的需求。