FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 708pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 2.2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
DMP6185SEQ-13 是一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名供应商 DIODES(美台)制造,广泛应用于电源管理、开关电路和负载驱动等多种电子设备。作为一款表面贴装型元件(封装形式为 SOT-223),其设计优化了空间占用和热管理,使其成为现代电子设计中理想选择。
DMP6185SEQ-13 适应广泛的电子应用,其主要应用领域包括但不限于:
DMP6185SEQ-13 是一款高性能、稳定可靠的 P 通道 MOSFET,其核心参数和特性使其成为多种电子应用中的优选器件。通过采用先进的半导体技术,DIODES 提供了一个优化的解决方案,帮助工程师在电源管理、开关电路等领域实现更高的效率和更低的功耗。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子,DMP6185SEQ-13 都展现出卓越的性能,是现代电路设计的宝贵资产。