FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 毫欧 @ 11.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64.2nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2826pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3007SFG-7 是一款高效的 P 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),专门设计用于各种功率管理应用。它具备优良的电气性能和热管理能力,在宽广的工作温度范围内表现出色,适合用于电源开关、马达驱动和其他需要高电流和高电压的场合。其使用的 PowerDI3333-8 封装不仅确保了有效的散热性能,同时也减少了占用的 PCB 空间,适合高密度的电子产品设计。
电压与电流能力:
导通电阻和效率:
栅极驱动特性:
电容和开关特性:
功率耗散与热管理:
封装特性:
应用场景:
DMP3007SFG-7 作为一款高性能 P 沟道 MOSFET,结合了高电流承载能力、低导通电阻及宽广的温度范围,使其在现代电子设计中具备极高的适应性和效率。其出色的电气特性、优良的热管理能力以及紧凑的封装形式,确保了其在各类功率管理及控制应用中的优秀表现,是研发和设计高效能电子产品的理想选择。