DMP45H150DHE-13
DMP45H150DHE-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 450V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 欧姆 @ 50mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 59.2pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 13.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMP45H150DHE-13手册
DMP45H150DHE-13概述
DMP45H150DHE-13 产品概述
DMP45H150DHE-13 是一款由美台半导体（DIODES）生产的 P 型 MOSFET（场效应晶体管），其特别设计用于高压和中等功率应用。此器件具有450V的漏源电压（Vdss）和250mA的连续漏极电流（Id），使其在高压开关、功率管理和其他相关电路中表现出色。
1. 主要特性
高电压兼容性：DMP45H150DHE-13 的漏源电压高达450V，使其能够在高压环境下安全运行，适合于需要高耐压的应用场合，如电源开关和逆变器。
高效导通特性：器件在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为150Ω（在50mA的漏电流下），这使其在开启状态时能够有效降低功耗，提升操作效率。
±30V的栅极电压范围：器件的栅极-源极最大电压(Vgs)为±30V，扩展了其适用的电路设计灵活性，以满足不同的驱动需求。
宽广的工作温度范围：DMP45H150DHE-13 的工作温度范围为-55°C至150°C，保证了其在各种苛刻环境下的可靠性和稳定性。
良好的开关性能：在高达1.8nC的栅极电荷（Qg）下，器件能够快速切换，从而提升整体电路的响应速度，对高频应用尤其重要。
2. 物理特性与封装
DMP45H150DHE-13 采用 SOT-223 表面贴装封装，适合于自动化贴装流程，节省制造成本，同时其紧凑设计使其在空间受限的应用中尤为适用。封装外壳也支持 TO-261-4 和 TO-261AA 的应用，尽可能地满足不同客户的需求。
3. 应用场景
DMP45H150DHE-13 适用于各种高压、中功率的电子应用，包括但不限于：
电源管理：用于开关电源、DC-DC 转换器及其他电源管理模块中，作为开关或调节元件，提升电源的效率和稳定性。
电机驱动：在电机控制系统中，作为开关场效应管，可以有效控制电机的启动、速度和转向，从而实现高效控制。
LED 驱动器：广泛应用于 LED 照明驱动系统中，以实现高效电压转换和稳定电流输出。
热管理设备：在需要高功率处理能力的热管理设备中，DMP45H150DHE-13 可作为电子负载或热电转换器中的关键元件。
4. 抗干扰能力
得益于其低输入电容（Ciss 最大值为59.2pF），DMP45H150DHE-13 在高速开关条件下，能够有效抑制漏电流和干扰，确保电路在各种环境下的稳定性和可靠性。
结论
DMP45H150DHE-13 是一款高性能的 P 型 MOSFET，结合了高耐压、高效导通及良好的工作温度范围，适合广泛的电源管理和驱动应用。其优越的电气特性和可靠性使其成为高压应用中的理想选择。选择 DMP45H150DHE-13，不仅能提高电路的效能，还能提供更灵活的设计选项，适用于不断变化的市场需求和技术挑战。