驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.7V,2.4V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 20ns,20ns | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
基本信息
DGD0227S8-13 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高效能高/低侧栅极驱动器,采用了先进的电路技术,专门设计用于控制功率MOSFET及IGBT器件的开关。这款驱动器非常适合于各种电源管理、逆变器、马达驱动和其他高功率应用场景。
参数特性
该器件的驱动配置为低端,具有独立式通道设计,能够以高达4A的峰值电流输出模式驱动两个不同的负载。DGD0227S8-13的供电电压范围为4.5V至18V,适应各种电压条件,能够满足不同电源模块的需求。
在逻辑层面上,DGD0227S8-13的输入电压规格设置为VIL(低电平)为0.7V和VIH(高电平)为2.4V,这使其在逻辑电平下具有出色的匹配能力,减少了在实际应用中可能遇到的兼容性问题。此外,该器件的上升时间和下降时间均为20ns,确保快速的开关响应,从而提升了系统的整体效率。
工作环境
DGD0227S8-13的工作温度范围广泛,从-40°C到150°C (TJ),适合在复杂环境中使用。这一特性使其在高温和低温条件下的稳定性和可靠性都有很好的表现,特别是在工业自动化、汽车电子和电源转换等应用场景下,能够有效延长设备的使用寿命。
安装与封装
该器件采用表面贴装型SO-8封装,尺寸为0.154" x 0.39mm,符合现代电子设备对空间紧凑性的需求。SO-8封装不仅有助于提高电路密度,还能够有效向PCB传输热量,进一步增强系统的热管理能力。这种封装形式也有助于实现自动化生产线的高效率组装,缩短生产周期。
应用领域
由于其高兼容性和强大的驱动能力,DGD0227S8-13适用于多个应用领域,包括但不限于:
总结
DGD0227S8-13是一款功能强大且可靠的栅极驱动器,凭借着其卓越的电气性能和广泛的应用前景,未来将在多个电子产品和系统中得到广泛应用。不论是设计高效能的功率转换器,还是为电动机提供精准控制,DGD0227S8-13都能为工程师们提供高效的解决方案,帮助他们实现设计目标。