直流反向耐压(Vr) | 30V | 平均整流电流(Io) | 200mA |
正向压降(Vf) | 800mV @ 100mA | 制造商 | Diodes Incorporated |
包装 | 管件 | 零件状态 | 在售 |
二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30 V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800 mV @ 100 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 5 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2 µA @ 25 V |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
BAT54SQ-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的高性能肖特基二极管,其设计特别适用于要求快速开关和低正向压降的应用场景。凭借其紧凑的 SOT-23 封装和优良的电气特性,BAT54SQ-7-F 是现代电子产品中广泛使用的关键元件之一。本产品具有出色的直流反向耐压(Vr)特性、较高的平均整流电流(Io)能力,以及较低的正向电压降(Vf),使其在多种应用中表现优异。
直流反向耐压 (Vr): BAT54SQ-7-F 的最大直流反向耐压为 30V,适合于中低压应用环境。这一耐压值使其能在多种电子电路中稳定工作,同时避免材料的击穿。
平均整流电流 (Io): 本二极管的平均整流电流为 200mA,能够轻松满足大多数应用的需求。无论是在电源管理、电池保护,还是在信号整形等应用中,BAT54SQ-7-F 都能提供可靠的电流支持。
正向压降 (Vf): 在 100mA 的条件下,BAT54SQ-7-F 的正向电压降为 800mV。低压降不仅提高了能效,还有助于降低发热量,使其在长时间工作情况下依然保持稳定。
反向恢复时间 (trr): 本产品的反向恢复时间仅为 5ns,表明其在高速开关应用中表现出色。对那些对开关速度要求较高的电路,例如开关电源(SMPS)或射频(RF)应用,BAT54SQ-7-F 是理想的选择。
反向泄漏电流: 在 25V 条件下,其反向泄漏电流仅为 2µA,表明该二极管在正向和反向状态下具有优良的电流隔离性能。这也使得其在抗干扰和高频环境下能够有效工作。
BAT54SQ-7-F 被广泛应用于以下场合:
总之,BAT54SQ-7-F 是一款经过精心设计的肖特基二极管,具备了高效的性能及多样的应用潜力。其制造商 Diodes Incorporated 提供的保证和优质的设计,使得用户能够依赖于这一产品在多种情境下提供稳定的表现。无论是新产品开发,还是现有项目的优化,BAT54SQ-7-F 都是值得考虑的重要选择。通过其紧凑的 SOT-23 封装和卓越的电气特性,BAT54SQ-7-F 在电子元器件市场中占据了首要位置。
最终,选择 BAT54SQ-7-F,将是您在电路设计和产品开发中迈向成功的重要一步。