2DB1182Q-13
2DB1182Q-13参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 10W | 频率 - 跃迁 | 110MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
2DB1182Q-13手册
2DB1182Q-13概述
产品概述：2DB1182Q-13 PNP晶体管
2DB1182Q-13是一款高性能的PNP型三极管（BJT），由著名半导体制造商DIODES（美台）生产。该器件采用TO-252封装，适用于高功率应用及各种电子电路中，是设计现代电子系统的重要选择。
主要特性
晶体管类型：该器件为PNP型三极管，适合NPN型设备优先的电子应用，提供一个对称的电流控制特性。PNP晶体管的应用广泛，尤其是在开关和放大电路中。
电流和电压能力：2DB1182Q-13的最大集电极电流（Ic）为2A，适用维护负载的高电流需求，同时也提供了32V的最大集射极击穿电压（Vce），使其适合处理一般电源电压及较大的负载。
饱和压降：为了确保在高负载条件下的高效工作，该器件的饱和压降（Vce(sat)）在200mA及2A情况下均小于800mV，这对于降低功耗和提高整体效率至关重要。
截止电流：该产品在截止状态下的集电极电流（ICBO）低至1µA，显示出极佳的漏电性能，有助于降低电路的静态功耗。
增益特性：在500mA的工作条件下，该三极管提供至少120的直流电流增益（hFE），使其在模拟信号放大时能够实现良好的增益与线性度，适合于不同的信号放大应用。
频率响应：该器件具有110MHz的跃迁频率，允许其在高频信号应用中工作，适合于高速开关电路及高频放大器的设计。
工作温度范围：该三极管的工作温度范围为-55°C到150°C，使其在严酷环境条件下均能稳定工作，适合汽车、工业控制及其他要求高耐受性的应用场景。
功率处理能力：拥有10W的最大功率处理能力，使其能够处理多种负载情况，适合各种功率应用或放大器设计。
封装设计：TO-252封装提供了优秀的散热性能和易于表面贴装的特性，特别适合现代电子设备对空间和散热的要求。
应用场景
由于其优异的性能和多样的电气特性，2DB1182Q-13 PNP晶体管广泛应用于多种领域，例如：
- 开关电源：作为开关元件，控制大电流的切换。
- 音频放大器：因其高增益和低噪声特性，适用于音频信号的处理。
- 信号放大：在传感器和其他小信号电路中，提供信号放大的解决方案。
- 汽车电子：在电动汽车、引擎控制模块及各种传感器与致动器中，得到广泛应用。
- 工业控制：用于控制电机和其他工业设备中的功率。
总结
2DB1182Q-13 PNP三极管凭借其出色的电气性能、高频特性和广泛的工作温度范围，成为工程师和设计师在选择电子元器件时的理想选择。其在高功率应用和各种电子电路中展现出的优越能力，提高了系统的整体效率和可靠性。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，2DB1182Q-13都是一款值得信赖和广泛应用的三极管。