STW24N60M2
STW24N60M2参数
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 100V |
| FET 类型 | N 通道 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 安装类型 | 通孔 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
STW24N60M2手册
STW24N60M2概述
STW24N60M2 产品概述
基本信息
STW24N60M2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有卓越的电气特性和宽广的应用范围。这款器件的设计旨在满足高功率、高电压需求，特别适用于电源管理、逆变器和工业控制等领域。其主要参数包括：最大漏极电流为 18A，最大漏源电压达到 600V，功率耗散能力为 150W，封装类型为 TO-247-3，适合于通孔安装。
电气特性
导通电阻（Rds(on)）： 在额定条件下，STW24N60M2 的导通电阻最大值为 190 毫欧（在 9A 的漏极电流和 10V 的驱动电压下），这使得该器件在高负载情况下能够有效地减少导通损耗。
漏极电流（Id）： STW24N60M2 可承受的最大连续漏极电流为 18A（在 25°C 时的结温下），使其能够支持多种中等功率的应用。
特殊电压特性： 该MOSFET支持高达 600V 的漏源电压（Vdss），使其能够在高电压环境中稳定运行。这对于电源转换器、太阳能逆变器等高压应用极为重要。
栅极电压特性： 最大栅源电压（Vgs）为 ±25V，使得它兼容多种驱动电路和逻辑电平。
输入电容（Ciss）： 在 100V 的条件下，输入电容最大值为 1060pF。这一特性影响开关速度，对应用的开关频率具关键性意义。
栅极电荷（Qg）： 在 10V 的驱动电压下，栅极电荷最大值为 29nC。低栅极电荷使得该 MOSFET 非常适合高频应用，能够实现快速开关，降低开关损耗。
阈值电压（Vgs(th)）： 最大阈值电压为 4V（在 250µA 的漏极电流下），确保了对控制信号的良好响应。
工作温度与功率耗散
STW24N60M2 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（结温），使其能够在恶劣环境下稳定工作。此外，该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 150W，这对于处理高功率需求至关重要。
应用场景
由于其独特的性能，STW24N60M2 可广泛应用于：
- 电源转换器：在开关电源和电压调节器中，提供高效的电力管理。
- 逆变器：solar逆变器、UPS 系统等需要高效率和高电压操作的场合。
- 电动机驱动：特别是在需要控制电动机的启动和运行的应用中，能够提供高效的信号调控。
- 工业控制：适用于各种工业设备的驱动和控制，满足高可靠性的电气需求。
结论
STW24N60M2 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET，结合了合理的导通电阻、高漏极电流和宽工作温度范围，非常适合高压和高功率应用。其卓越的设计使其广泛适用于电源管理、工业控制以及电动机驱动等多个领域。对于寻求高效率和可靠性的电子设计师和工程师，STW24N60M2 是一个值得信赖的选择。