输入类型 | 反相 | 通道类型 | 独立式 |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 驱动器数 | 2 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1A,1A | 驱动配置 | 半桥 |
上升/下降时间(典型值) | 25ns,15ns | 安装类型 | 表面贴装型 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 200V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.7V,2.5V |
IRS2011STRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能半桥栅极驱动器, 采用SOIC-8封装,专为驱动N沟道MOSFET而设计,广泛应用于电源转换、马达控制及其他需要高效电能管理的领域。
输入类型:反相
通道类型:独立式
电压 - 供电:10V ~ 20V
电流 - 峰值输出:1A(灌入,拉出)
驱动配置:半桥
上升/下降时间(典型值):25ns,15ns
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
栅极类型:N沟道MOSFET
高压侧电压 - 最大值(自举):200V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.7V,2.5V
IRS2011STRPBF广泛应用于以下领域:
IRS2011STRPBF 是一款功能强大的半桥栅极驱动器,凭借其出色的性能指标和可靠的工作环境,满足了现代应用对高效率和高可靠性的严格要求。无论是在工业控制、消费电子还是汽车应用中,IRS2011STRPBF 都能够提供卓越的性能和灵活的应用解决方案,使其成为工程师非常值得推荐的选择。