不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
Vgs(最大值) | ±20V | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500 毫欧 @ 3.1A,10V |
FET 类型 | P 通道 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A(Tc) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 270pF @ 25V |
产品概述:IRFR9014TRPBF - P沟道MOSFET
Vishay的IRFR9014TRPBF是一款高性能的P沟道MOSFET,专为各种高效能电子应用而设计,其在功率管理和开关应用中表现出色。该器件的封装为TO-252-2(D-Pak),使其在表面贴装领域(SMD)具有便于操作和安装的优势。其多样化的应用潜力使其成为现代电子产品设计中的理想选择。
IRFR9014TRPBF的规格涵盖了多个关键领域,从导通电阻到电流负载能力,确保其在苛刻环境下的可靠性和效率。以下是其主要技术参数:
最大漏源电压(Vdss): 60V
该特性确保了器件能够在高电压环境下稳定工作,满足多种应用的需求。
连续漏极电流(Id): 5.1A(Tc=25°C)
该特性使得IRFR9014TRPBF能够在较高电流负载下运行,适用于电源管理、马达驱动等领域。
栅源阈值电压(Vgs(th)): 最大值4V @ 250µA
低阈值电压使得此器件在低电压驱动下即可迅速开启,提升了开关速度和效率。
最大功率耗散: 2.5W(Ta),25W(Tc)
高功率耗散能力意味着该器件可在更高的温度和更大功率的条件下工作,助力提升整个系统的稳定性。
导通电阻(Rds(on)): 最大500毫欧 @ 3.1A,10V
较低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高效率,并使其在开关频率较高的应用中表现出色。
工作温度范围: -55°C至150°C(TJ)
宽广的工作温度范围使其适应各种极端环境,适合工业、汽车及军工等苛刻应用。
栅极电荷(Qg): 最大12nC @ 10V
较低的栅极电荷不仅提高了开关速度,同时也降低了驱动器的功耗,使得更小的驱动电路设计成为可能。
输入电容(Ciss): 最大270pF @ 25V
性能稳定且低输入电容的特性提高了高频开关操作的响应速度,适用于高频应用。
IRFR9014TRPBF的多元化特性使其广泛应用于以下领域:
电源管理:在DC-DC转换器和线性调节器中,IRFR9014TRPBF可作为开关元件,实现高效能的电源转换。
电机控制:作为马达驱动的关键组成部分,该MOSFET可控制电机的启停、调速等功能。
负载开关:通过实现高效导通和关闭,IRFR9014TRPBF可以用于负载电路的开关,减少功率损耗。
汽车电子:在汽车电源管理和自动化控制系统中,IRFR9014TRPBF的高温及高压特性使其适合至关重要的应用。
基于其优异的电气性能和高功耗处理能力,Vishay的IRFR9014TRPBF是工程师在设计高性能电路时的可靠选择。无论是在电源管理、马达控制还是其他需要高效能开关的应用中,该MOSFET都能提供杰出的表现。其优质的制造工艺和广泛的应用灵活性,使其在竞争激烈的市场中脱颖而出。选择IRFR9014TRPBF,不仅是选择了一款优秀的元器件,更是为您的电子设计项目提供了强有力的保障。