漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 10A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 8.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.42W | 类型 | 双N沟道 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 8.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.5nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 478.9pF @ 16V | 功率 - 最大值 | 1.42W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMG4822SSD-13 是一款高性能双 N 沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌 DIODES(美台)生产。作为一种重要的电力电子元器件,DMG4822SSD-13 在各种高频率和高效率的开关电源、电机驱动和负载开关应用中被广泛使用。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 10A (25°C)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250μA
漏源导通电阻(Rds(on)): 20mΩ @ 8.5A, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.42W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
封装类型: SO-8
DMG4822SSD-13 广泛应用于:
由于其低导通电阻和宽广的工作温度范围,DMG4822SSD-13 是许多电力电子应用中理想的选项。
DMG4822SSD-13 代表了现代电力电子器件中卓越的性能和可靠性,适用于各种高要求的应用场景。其优越的电气性能加上适应广泛的工作环境,强化了该元件在市场上的竞争力,成为设计师与工程师选择场效应管(MOSFET)的理想选择之一。对于希望提升系统效率和可靠性的设计工作,DMG4822SSD-13 无疑是一个值得考虑的优良方案。